權(quán)利要求 1.可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，包括：將納米MoO 3均勻分布在碳布表面，碳布放置于石墨槽的底部，所述石墨槽放置于一個雙溫區(qū)石英管的高溫區(qū)中，石墨槽頂部倒扣有襯底； 通過加熱將石墨槽的MoO 3沉積于倒扣在石墨槽頂部的襯底表面，利用一定流速的載氣將低溫區(qū)形成的硫蒸汽攜帶至高溫區(qū)的襯底，使MoO 3硫化得到六角星形的單層MoS 2。2.如權(quán)利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述納米MoO 3的粒徑尺寸為40-50 nm。 3.如權(quán)利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，將納米MoO 3均勻分布在碳布表面的方法包括：將納米MoO 3乙醇分散液滴在碳布表面，通過對石墨槽進(jìn)行烘烤使得乙醇揮發(fā)，納米MoO 3均勻分布在碳布表面。 4.如權(quán)利要求3所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述納米MoO 3乙醇分散液經(jīng)10 min以上的超聲處理且MoO 3濃度為1-50 mg/mL，滴加至碳布表面的納米MoO 3乙醇分散液的體積為20-40 μL。 5.如權(quán)利要求3所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，通過將石墨槽放置于加熱板上烘烤來使乙醇揮發(fā)，烘烤溫度為60-70℃。 6.如權(quán)利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，將0.8-1.2 g硫粉放置于石英舟內(nèi)，石英舟放置于裝載石墨槽的上游，低溫區(qū)以8℃/min的加熱速率升溫至150-250℃來對硫粉進(jìn)行加熱，高溫區(qū)以25℃/min的加熱速率升溫至700℃，再以10℃/min的加熱速率升溫至760℃來對石墨槽內(nèi)的MoO 3進(jìn)行加熱從而進(jìn)行硫化反應(yīng)。 7.如權(quán)利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述載氣為氬氣、氮氣或氬氫混合氣體，流速為100-150 sccm。 8.如權(quán)利要求1所述的可控生長六角星形單層MoS 2的方法，其特征在于，所述襯底為SiO 2/Si襯底，所述襯底在使用前依次使