本發(fā)明提供一種基于NbN約瑟夫森結(jié)的超導(dǎo)量子比特結(jié)構(gòu)及其制備方法，該超導(dǎo)量子比特結(jié)構(gòu)包括襯底、緩沖層、功能層、隔離層、第一配線部及第二配線部，其中，緩沖層位于襯底的上表面，功能層位于緩沖層的上表面且包括間隔設(shè)置的電容器、第一約瑟夫森結(jié)、第二約瑟夫森結(jié)及諧振器，隔離層填充功能層中的間隙并覆蓋功能層的顯露表面及襯底的上表面，且隔離層中設(shè)有第一接觸孔及第二接觸孔，第一配線部填充于第一接觸孔并與第一約瑟夫森結(jié)的上表面接觸，第二配線部填充于第二接觸孔并與第二約瑟夫森結(jié)的上表面接觸。本發(fā)明通過采用高阻率的硅作為襯底、絕緣性的TaN膜作為約瑟夫森結(jié)的結(jié)區(qū)，減少了襯底中電荷漲落，增強了超導(dǎo)量子比特的相干性。