本發(fā)明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備，該方法將非氮元素的前驅(qū)體蒸汽和活性氮源前驅(qū)體氣體分別輸送到反應(yīng)腔室內(nèi)溫度為250至800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦合至活性氮源氣體分子，加速NH鍵的斷裂，提供充足的活性氮源，使非氮元素與活性氮源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，沉積第III族氮化物膜層材料，持續(xù)作用直到沉積物覆蓋整個襯底并達(dá)到所需厚度。裝備包括真空反應(yīng)腔、氣體預(yù)混合腔、波長可調(diào)諧激光器和移動機(jī)構(gòu)。本發(fā)明在提高活性氮源利用率和減少環(huán)境污染的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)低溫環(huán)境下氮化物膜層材料的大面積、快速和高質(zhì)量生長。