本發(fā)明提供了合金半導(dǎo)體薄膜及制備方法和應(yīng)用，該合金半導(dǎo)體薄膜的化學(xué)式為HfxWyV1?x?yO2，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，本發(fā)明的合金半導(dǎo)體薄膜，利用HfO2的帶隙(5.5eV)大于VO2的帶隙(2.6eV)，使用Hf4+離子部分取代V4+離子，來提高VO2的光學(xué)帶隙有效地提升薄膜的可見光透過率。同時，W離子為+6價，在VO2中摻入W6+離子相當(dāng)于引入了載流子，載流子引入越多，越容易驅(qū)動電子相變的發(fā)生，因此降低了相變溫度，選擇Hf4+離子和W6+離子部分取代V4+離子制備了HfxWyV1?x?yO2合金體系從而實現(xiàn)了VO2的高可見光透過率和對其相變溫度的調(diào)節(jié)。