本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種膜層及其沉積方法、半導體結構及其形成方法。所述膜層沉積方法包括如下步驟：提供一介質層；傳輸前驅氣體和反應氣體至所述介質層表面，形成覆蓋于所述介質層表面的膜層和副產物；除去所述副產物，推動所述前驅氣體與所述反應氣體之間的化學反應正向進行。本發(fā)明提高了生成的膜層的純度，減少了所述膜層中夾雜的副產物，改善了膜層的結構穩(wěn)定性和抗摻雜能力，確保了最終生成的半導體器件結構的良率。