本發(fā)明涉及一種核殼結(jié)構(gòu)的SiC@C納米線準(zhǔn)陣列及其制備方法與應(yīng)用，屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開了一種核殼結(jié)構(gòu)的SiC@C納米線準(zhǔn)陣列，所述SiC@C納米線準(zhǔn)陣列中SiC的相組成為3C?SiC，殼層的C為PEDOT層經(jīng)冷凍干燥、碳化后的摻雜硫元素的碳材料。本發(fā)明還公開了一種核殼結(jié)構(gòu)的SiC@C納米線準(zhǔn)陣列的制備方法，所述的制備方法包括：將預(yù)處理后的碳布覆蓋在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩堝口，在高溫氣氛爐中加熱，冷卻后得沉積SiC準(zhǔn)陣列的碳布；將沉積SiC納米線的碳布置于反應(yīng)真空室，將汽態(tài)的EDOT誘導(dǎo)進(jìn)入反應(yīng)真空室，汽態(tài)的FeCl3引入反應(yīng)真空室后沉積得SiC@PEDOT納米線準(zhǔn)陣列，清洗后經(jīng)冷凍干燥、碳化得硫摻雜的SiC@C納米線復(fù)合材料。