本發(fā)明公開了一種鋯鈦酸鉛鐵電薄膜光電極及其制備方法，所述光電極包括導(dǎo)電基底、鋯鈦酸鉛薄膜以及二者之間的金膜，該電極在1.0V(vs.Ag/AgCl)的電壓條件下光電流密度可達(dá)200μA/cm2。其制備方法為：將基底清洗后蒸鍍金膜，在金膜上旋涂鋯鈦酸鉛膜，經(jīng)退火、煅燒和封裝即得所述電極，制備工藝簡單，成本低，所得的薄膜均勻性好，具有良好的可見光吸收性能，且穩(wěn)定性和光電轉(zhuǎn)換效率較之前的工藝也有明顯提高。