本發(fā)明公開了一種基于多次稱重獲得單晶硅片切割損傷層厚度的測試方法，它包括以下步驟：S1、對未經(jīng)過腐蝕的硅片進(jìn)行稱重，記錄硅片的初始重量m0；S2、將硅片完全浸沒在腐蝕液中，腐蝕液溫度控制在75～85℃；S3、每隔固定時(shí)間，將硅片取出擦拭稱重，記錄硅片重量mi，mi表示第i次稱重重量；S4、繪制硅片重量與時(shí)間的變化圖；S5、根據(jù)硅片重量變化趨勢判斷出硅片重量變化趨勢發(fā)生變化點(diǎn)，記錄該變化點(diǎn)對應(yīng)的硅片重量mf；S6、計(jì)算損傷層厚度μ。本發(fā)明采用化學(xué)腐蝕方法定量分析硅片表面損傷層厚度，在太陽能電池制絨環(huán)節(jié)中，可有效去除單晶硅片表面的損傷層，同時(shí)減少制絨過程中硅料的損失。