本申請(qǐng)公開(kāi)了一種銦砷氮鉍半導(dǎo)體材料、使用該材料的激光器和探測(cè)器及制備方法，涉及半導(dǎo)體光電材料制備領(lǐng)域。所述材料包括：襯底層、緩沖層和銦砷氮鉍半導(dǎo)體材料。通過(guò)共摻雜方式，在InAs半導(dǎo)體中摻入一定濃度的Bi原子和N原子，可有效調(diào)節(jié)InAs材料的禁帶寬度，實(shí)現(xiàn)從近紅外到中紅外波段的覆蓋，應(yīng)用于光電子器件。Bi原子的摻入可使材料更易生長(zhǎng)并更加穩(wěn)定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半導(dǎo)體中同時(shí)摻入N原子，Bi原子可以有效調(diào)節(jié)化合物的能帶結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等多種方法進(jìn)行生長(zhǎng)，結(jié)構(gòu)和操作工藝簡(jiǎn)單，易于控制。