本發(fā)明提供了化學(xué)敏感的晶體管器件(諸如ISFET裝置)的測(cè)試,無(wú)需將所述裝置暴露于液體。在一個(gè)實(shí)施方案中,本發(fā)明執(zhí)行第一試驗(yàn)來(lái)計(jì)算晶體管的電阻?;谒鲭娮?,本發(fā)明執(zhí)行第二試驗(yàn),以使試驗(yàn)晶體管在多個(gè)模式之間轉(zhuǎn)變。基于對(duì)應(yīng)的測(cè)量結(jié)果,然后在幾乎沒(méi)有至沒(méi)有電路開(kāi)銷(xiāo)的情況下計(jì)算浮動(dòng)?xùn)烹妷?。在另一個(gè)實(shí)施方案中,使用至少任一個(gè)源或排出裝置的寄生電容來(lái)偏壓ISFET的浮動(dòng)?xùn)?。施加?qū)動(dòng)電壓和偏壓電流,以利用寄生電容來(lái)測(cè)試晶體管的功能性。
聲明:
“用于測(cè)試ISFET陣列的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)