一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其操作方法。該方法可以包括測量半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)性質(zhì)并且基于至少一個(gè)性質(zhì)確定用于處理半導(dǎo)體晶片的處理方法?？梢曰诖_定的處理方法使用多個(gè)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)模塊處理半導(dǎo)體晶片，其中處理方法包括用于由多個(gè)CMP模塊中的每個(gè)CMP模塊使用的至少一個(gè)參數(shù)的值。測量可以由內(nèi)建度量設(shè)備原位進(jìn)行。處理方法和與處理方法關(guān)聯(lián)的各種參數(shù)可以由半導(dǎo)體處理設(shè)備的控制器確定。