本發(fā)明提供了一種納流控場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法和應(yīng)用，涉及納流控與電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，包括：納米孔道內(nèi)表面帶有正電荷的第一納米多孔膜、納米孔道內(nèi)表面帶有負(fù)電荷的第二納米多孔膜和電極；第二納米多孔膜的兩個(gè)表面分別結(jié)合第一納米多孔膜，或，第一納米多孔膜的兩個(gè)表面分別結(jié)合第二納米多孔膜，構(gòu)建具有NPN或PNP結(jié)構(gòu)的納流控場(chǎng)效應(yīng)管。本發(fā)明利用納米通道的離子選擇性傳輸特性，并結(jié)合門(mén)電位控制來(lái)改變部分納米通道表面電荷密度來(lái)實(shí)現(xiàn)低門(mén)電位條件下的信號(hào)放大，解決了現(xiàn)有場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)法實(shí)現(xiàn)高離子強(qiáng)度下檢測(cè)問(wèn)題，并成功實(shí)現(xiàn)納米通道離子電流信號(hào)的Sigmoid響應(yīng)，可做為可控的單元組件用于后續(xù)的邏輯控制和人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的開(kāi)關(guān)組件。