本發(fā)明公開一種碳化硅外延片去除外延再生襯底的方法，包括：(1)測量外延片的總厚度、平整度最大值以及其外延層上多個點的厚度；(2)計算外延平均厚度、減薄厚度；(3)根據(jù)外延平均厚度，依次通過粗砂輪對外延層進行第一減薄處理以及通過細砂輪對外延層進行第二減薄處理，或者直接通過細砂輪對外延層進行第二減薄處理；(4)通過雙面刷洗機對減薄處理后的外延片的兩面進行沖刷；(5)對多個外延片同時進行至少一次化學機械拋光，以完全去除各外延片的外延層。本發(fā)明的方法能夠加工更高效、精確更高的去除外延層，保留襯底厚度，并提高CMP的加工效率和質(zhì)量，實現(xiàn)不合格外延片再生襯底的重利用。