一種用于射頻橫向擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管的自對準(zhǔn)硅化物方法,包括如下步驟:在硅片上,多晶柵刻蝕成形后進(jìn)行無掩膜的漂移區(qū)注入;用正硅酸乙酯熱分解法淀積一薄層二氧化硅;以光刻膠保護(hù)漂移區(qū),回刻二氧化硅,在柵極靠近源測形成二氧化硅側(cè)墻;源漏自對準(zhǔn)注入并去膠;快速熱退火,以消除注入損傷和激活雜質(zhì);分別以正硅酸乙酯熱分解法淀積一薄層襯墊二氧化硅和低壓化學(xué)氣相淀積法淀積一層氮化硅;依次回刻氮化硅、二氧化硅,在二氧化硅一次側(cè)墻基礎(chǔ)上形成氮化硅二次側(cè)墻;濺射一薄層鈦;快速熱退火,讓鈦與硅反應(yīng)形成鈦硅化物;選擇性濕法腐蝕去除未反應(yīng)的鈦;快速熱退火,讓高阻態(tài)的鈦硅化物轉(zhuǎn)化為低阻態(tài)的鈦硅化物。