本發(fā)明公開(kāi)了一種低頻聲波傳感器，包括：輸入光纖、薄膜以及基底單元；基底單元介于薄膜和輸入光纖之間；薄膜沉積于基底單元的正面；薄膜的厚度為沉積厚度；薄膜的直徑為基底單元背面刻蝕至薄膜下表面的第二刻蝕窗口的直徑；基底單元用于控制薄膜的直徑；薄膜用于接收低頻聲波，并與輸入光纖構(gòu)成FP腔體；薄膜與輸入光纖的端面距離為FP腔體的腔長(zhǎng)，沉積方法為化學(xué)氣相沉積；基底單元背面刻蝕的方法為反應(yīng)例子刻蝕；本發(fā)明可精密控制薄膜的厚度、薄膜直徑以及FP腔體的腔長(zhǎng)，因此，低頻聲波傳感器有良好的一致性。同時(shí)由于本發(fā)明中薄膜具有較小的尺寸，可實(shí)現(xiàn)高的諧振頻率，在250Hz以下的低頻測(cè)試頻段具有平坦的響應(yīng)特性。