本發(fā)明公開了一種硅外延層過渡區(qū)的無損檢測方法，屬于硅外延生長技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法包括下述步驟：（1）生長前利用電容位移傳感器的方法先測量硅襯底片總厚度Tsub；（2）將硅襯底片外延生長，取片后利用紅外膜厚測試儀測量硅外延層厚度Tepi，測量位置和外延前測量硅襯底片厚度的位置相對應(yīng)；（3）然后利用電容位移傳感器測量外延后的硅片的總厚度Ttot，其測量位置和硅襯底片測量厚度的位置相對應(yīng)；（4）利用公式:(硅襯底片總厚度Tsub+硅外延層厚度Tepi)–外延后硅片的總厚度Ttot，得到過渡區(qū)長度。本發(fā)明的方法具有無損、準(zhǔn)確率高、檢測速度快的優(yōu)點。