一種半導體摻雜的擴散深度檢測方法，方法包括：進行摻雜劑擴散，測得半導體光電探測器件的擊穿電壓；根據(jù)擊穿電壓計算摻雜劑的擴散深度并根據(jù)檢測擴散深度對器件進行補擴散，以優(yōu)化擴散工藝。檢測方法無需完成所有芯片的流片工藝，無需劃裂片至單個芯片器件，并且無需其他表征檢測手段的破壞性制樣，并且可以在完成摻雜劑擴散時對晶圓片上點進行大范圍快速、無損性的測試與抽測，測試表征準確，高效、無損。基于該方法對擴散工藝進行優(yōu)化以達到預期目標及后續(xù)流片工藝。