本發(fā)明公開了一種基于表面態(tài)吸收原理的垂直耦合透明光電探測器，所述垂直耦合透明光電探測器包括：探測器和信號讀出電路；所述探測器由光敏面、氧化層、金電極、及襯底組成，光敏面由半導體材料制成，待測光源為能量低于半導體禁帶寬度的光源；待測光源入射到光敏面上時，通過邊界態(tài)吸收造成光敏區(qū)導納的變化；信號讀出電路以器件導納作為讀出信號，待測光幾乎無損耗地穿過所述探測器，從而實現(xiàn)對待測光的非侵入式探測。本發(fā)明拓寬了光電探測器的應用場景。