在裸片級上對半導體良率進行模型化以預測容易發(fā)生過早使用壽命失效(ELF)的裸片。依據(jù)從半導體制造過程中的晶片測試獲得的參數(shù)數(shù)據(jù)進行第一裸片良率計算。僅依據(jù)裸片位置進行第二裸片良率計算。所述第一裸片良率計算與所述第二裸片良率計算之間的差是預測差值。基于對所述第一裸片良率計算和所述預測差值的評估，可識別過早使用壽命失效的可能性并且可確立可接受的裸片損耗水平以從進一步處理移除裸片。