本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器老化測(cè)試系統(tǒng)及方法，其系統(tǒng)包括測(cè)試核心板和測(cè)試板；測(cè)試核心板根據(jù)上位機(jī)指令生成測(cè)試信號(hào)和電源信號(hào)進(jìn)行調(diào)整后提供給DUT，并將DUT輸出信號(hào)與預(yù)設(shè)值比較得到初步測(cè)試結(jié)果分區(qū)存儲(chǔ)，并上傳到上位機(jī)；測(cè)試板用于承載DUT，為DUT提供時(shí)鐘信號(hào)和片選信號(hào)，單塊測(cè)試板設(shè)置有多個(gè)測(cè)試位，DUT老化測(cè)試可單顆進(jìn)行或多顆DUT同時(shí)進(jìn)行；其方法通過(guò)在測(cè)試核心板上輸出各種類型的測(cè)試信號(hào)，并對(duì)測(cè)試信號(hào)進(jìn)行延時(shí)調(diào)整、加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)、波形控制等處理，以及對(duì)電源信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，對(duì)測(cè)試結(jié)果通過(guò)分區(qū)設(shè)置的存儲(chǔ)區(qū)分別存儲(chǔ)，實(shí)現(xiàn)老化測(cè)試中對(duì)單個(gè)DUT測(cè)試過(guò)程控制的管理和失效分析的功能，并增加了DUT同測(cè)數(shù)，減少了測(cè)試資源開(kāi)銷。