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對RRAM存儲器耐久性參數(shù)進(jìn)行測試的方法

882 編輯：管理員來源：中冶有色網(wǎng)

2023-03-19 09:00:18

本發(fā)明公開了一種對RRAM存儲器耐久性參數(shù)進(jìn)行測試的方法，該方法包括：判斷RRAM存儲器當(dāng)前所處的狀態(tài)，以確定起始向RRAM存儲器加載的脈沖是編程脈沖還是擦除脈沖；連續(xù)交替的向RRAM存儲器加載編程脈沖和擦除脈沖，并在向RRAM存儲器加載了10^Ln次編程脈沖和擦除脈沖后測試RRAM存儲器的狀態(tài)是否失效，在RRAM存儲器失效時記錄最后使RRAM器件失效的加載編程脈沖和擦除脈沖次數(shù)10^Ln，即得到耐久性參數(shù)為10^Ln-1次，其中Ln＝n-1，n為自然數(shù)。利用本發(fā)明，極大加快了待測器件耐久性參數(shù)的獲取。

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“對RRAM存儲器耐久性參數(shù)進(jìn)行測試的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)