提供一種借助于打算的高度集成和高速度的實現(xiàn)能夠得到高度可靠的半導體器件的制造方法。在諸過程期間,在一個包括一個CMOS靜態(tài)型電路的希望電路形成在半導體襯底上直到產(chǎn)品裝運之后,進行:一種第一操作,把一個預定輸入信號供給到電路,并且檢索與它對應(yīng)的一個第一輸出信號;和一種第二操作,給出增大構(gòu)成CMOS靜態(tài)型電路的MOSFET的導通電阻值的一種操作條件,并且檢索與該條件對應(yīng)的一個第二輸出信號;及一個測試步驟,通過從第二輸出信號變化的第一輸出信號確定失效。
聲明:
“半導體器件的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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