本發(fā)明提供一種分柵式閃存器件制造方法，在所述浮柵氮化硅層的溝槽以及所述浮柵氮化硅層表面沉積一定厚度的源線多晶硅層后，對所述源線多晶硅層的頂部平坦化工藝或者回刻蝕工藝進行終點監(jiān)測，以獲得所述源線多晶硅層的在所述溝槽頂部的寬度或者所述第一側(cè)墻的損耗高度，并在去除浮柵氮化硅以后，根據(jù)所述監(jiān)測的結(jié)果，對暴露出的第一側(cè)墻的側(cè)壁進行相應(yīng)的側(cè)向回刻蝕，以暴露出合適區(qū)域的浮柵多晶硅層，從而保證后續(xù)刻蝕暴露出的浮柵多晶硅層后，能夠獲得具有合適的高度和頂角角度的浮柵尖端，最終可以避免分柵式閃存器件的數(shù)據(jù)擦除失效和編程失效問題。