本發(fā)明公開(kāi)了基于SiC MOSFET損耗模型的開(kāi)關(guān)過(guò)熱保護(hù)方法，開(kāi)關(guān)為SiC MOSFET，包括以下步驟：構(gòu)建所述SiC MOSFET的損耗模型，通過(guò)采集所述SiC MOSFET的采樣電信號(hào)，估算所述SiC MOSFET的損耗；基于器件損耗和穩(wěn)態(tài)熱網(wǎng)絡(luò)，通過(guò)采集高速/超高速電機(jī)控制器上開(kāi)關(guān)器件的散熱器的表面溫度，估算SiC MOSFET的結(jié)溫，并與預(yù)設(shè)的保護(hù)閾值進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果，對(duì)SiC MOSFET進(jìn)行過(guò)熱保護(hù)；系統(tǒng)包括DSP控制芯片、柵極驅(qū)動(dòng)芯片、三相兩電平逆變器、信號(hào)采樣電路、散熱及測(cè)溫模塊，DSP控制芯片用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)過(guò)熱保護(hù)方法；本發(fā)明避免器件因過(guò)熱而失效甚至發(fā)生爆炸，危害系統(tǒng)的安全運(yùn)行。