本發(fā)明公開了一種溝槽柵MOS器件缺陷驗證方法，包含：第一步，對溝槽柵MOS器件樣品進行電學(xué)測試，掃描柵極對源極的漏電曲線；第二步，根據(jù)漏電曲線的特性，初步判定缺陷的大致位置；第三步，采用亮點定位工具，定位失效溝槽在芯片上的位置；第四步，結(jié)合第二步的判定結(jié)果，選擇對應(yīng)的研磨或聚焦離子束方法進行制樣；采用KOH或NaOH溶液溶解殘留的柵極多晶硅，找到缺陷位置。