一種碳化硅功率器件及其制備方法、鈍化結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該鈍化結(jié)構(gòu)應(yīng)用于碳化硅功率器件，包括設(shè)置于襯底上的碳化硅外延層，以及依次形成于碳化硅外延層上的肖特基金屬層和正面金屬層；鈍化結(jié)構(gòu)還包括厚度小于或等于0.1μm的鈍化層，鈍化層包括設(shè)置在碳化硅外延層上的第一部和與第一部連續(xù)的第二部，第二部至少包覆正面金屬層的部分側(cè)壁。該鈍化結(jié)構(gòu)能夠有效解決器件在經(jīng)過TCT測(cè)試后，器件鈍化層發(fā)生開裂而引起器件可靠性降低，甚至失效的問題。