本實(shí)用新型涉及一種LED蒸鍍?cè)O(shè)備鍍金工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，它涉及一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。 背景技術(shù)： 蒸鍍是LED加工過(guò)程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，即在真空腔體內(nèi)加熱有機(jī)小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過(guò)金屬光罩的開(kāi)孔沉積在基板上。在傳統(tǒng)的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點(diǎn)： 1、坩堝直接與底座接觸，底座內(nèi)有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過(guò)程需要更高的能量； 2、蒸鍍過(guò)程，坩堝外壁溫度低，坩堝內(nèi)的黃金在溶化過(guò)程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在靠近坩堝壁的溫度比中心位置的溫度低，不容易溶化，坩堝內(nèi)的黃金在蒸鍍過(guò)程中心位置容易耗盡，容易出現(xiàn)凹坑的情況； 3、黃金在蒸鍍過(guò)程受凹坑的影響，工藝過(guò)程鍍金的速率不穩(wěn)定，電子槍功率波動(dòng)大。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝，能夠較少地受冷卻水的影響。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案： 一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝；包括坩堝本體，所述坩堝本體的底部可拆卸連接有石墨墊片，所述石墨墊片呈環(huán)形；所述石墨墊片的內(nèi)徑為20mm，外徑為37mm。 優(yōu)選地，所述坩堝本體的底部設(shè)置有嵌槽，所述石墨墊片的頂部設(shè)置有與嵌槽適配的頂塊；所述坩堝本體上設(shè)置有用于將所述頂塊鎖定于嵌槽內(nèi)的鎖定組件。 優(yōu)選地，所述鎖定組件包括套環(huán)、鎖桿和彈簧；所述套環(huán)螺紋連接于坩堝本體的底部；所述嵌槽的側(cè)壁與坩堝本體的外側(cè)壁之間貫穿設(shè)置有通槽，所述鎖桿活動(dòng)設(shè)置于所述通槽內(nèi)；所述通槽的內(nèi)壁上具有第一限位座，所述鎖桿的桿體上設(shè)置有第二限位座，所述彈簧套設(shè)于鎖桿位于第一限位座與第二限位座之間的桿體上；所述鎖桿的另一端伸出通槽；所述套環(huán)的內(nèi)側(cè)設(shè)置有傾斜面，所述傾斜面朝向坩堝本體的外側(cè)傾斜；所述頂塊的側(cè)壁上設(shè)置有鎖孔。 優(yōu)選地，所述鎖桿伸出通槽的一端呈半球形設(shè)置。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是： 1、在增加了石墨墊片后，隔絕了Au坩堝與冷卻水直接接觸，石墨片具有耐高溫、導(dǎo)熱性的特點(diǎn)，這樣可使Au坩堝表面均勻加熱，不會(huì)出現(xiàn)坩堝中央凹槽的情況； 2、有墊石墨片的爐次與不墊石墨片的爐次對(duì)比，鍍金速率（簡(jiǎn)稱：鍍率）更穩(wěn)定； 3、有墊石墨片的爐次與爐次對(duì)比，功率差異較大，但有墊石墨片的爐次的功率穩(wěn)定性更佳，且功率在15%左右