1.本申請涉及半導體制造領(lǐng)域，具體而言，本申請涉及一種半導體工藝設(shè)備及其工藝腔室。 背景技術(shù)： 2.目前，在半導體工藝后段的鈍化層(passivation layer)工藝中，鋁墊(al pad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測試電性連接和封裝的引線端，對后續(xù)的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過程中，幾乎所有的半導體器件在其制造過程都要使用鋁墊(al pad)用于其后道金屬互聯(lián)，作為導線傳遞各器件的電信號，通過后續(xù)封裝引線實現(xiàn)各器件的連接控制。 3.現(xiàn)有技術(shù)中采用物理氣相沉積(physical vapor deposition，pvd)工藝制備鋁薄膜。由于現(xiàn)有技術(shù)中僅靠沉積后的冷卻工藝進行冷卻，若機臺端出現(xiàn)報警調(diào)度無法繼續(xù)進行，導致晶圓停留在工藝腔室中，從而無法及時傳輸至冷卻腔室進行冷卻導致晶圓報廢?，F(xiàn)有技術(shù)中的處理方式為，當機臺端出現(xiàn)報警時，一般采用人為方式對其進行處理，即手動將諸如晶圓等待加工工件傳輸至冷卻腔室冷卻，但是由于人為處理效率較低，無法保證時效(20分鐘內(nèi))性，從而產(chǎn)生缺陷甚至會直接報廢晶圓。 技術(shù)實現(xiàn)要素： 4.本申請針對現(xiàn)有方式的缺點，提出一種半導體工藝設(shè)備及其工藝腔室，用以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的由于晶圓冷卻不及時造成報廢的技術(shù)問題。 5.第一個方面，本申請實施例提供了一種工藝腔室，用于半導體工藝設(shè)備，包括：腔室本體、承載裝置以及控溫裝置，其中，所述承載裝置設(shè)置于所述腔室本體內(nèi)，且所述承載裝置包括基座及升降機構(gòu)，所述基座用于承載待加工工件；所述升降機構(gòu)用于帶動所述待加工工件升降，以使所述待加工工件與所述基座分離或接觸；所述控溫裝置包括有承載臺，所述承載臺設(shè)置于所述腔室本體內(nèi)，用以在所述升降機構(gòu)帶動所述待加工工件與所述基座分離時，選擇性移動至所述基座及所述待加工工件之間，并在所述升降機構(gòu)帶動所述待加工工件下降以承載待加工工件并對所述待加工工件的溫度進行控制。 6.于本申請的一實施例中，所述控溫裝置還包括旋轉(zhuǎn)軸及驅(qū)動結(jié)構(gòu)，其中，所述旋轉(zhuǎn)軸的第一部分位于所述腔室本體內(nèi)，并且所述旋轉(zhuǎn)軸的第一部分的頂端與所述承載臺的邊緣連接，所述旋轉(zhuǎn)軸的第二部分位于所述腔室本體外；所述驅(qū)動結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述腔室本體外，并且與所述旋轉(zhuǎn)軸的第二部分的底端傳動連接，用于驅(qū)動所述旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)以帶動所述承載臺移動。 7.于本申請的一實施例