本發(fā)明屬于二維材料制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料、制備方法及應(yīng)用。 背景技術(shù)： 過渡金屬硫族化合物(tmds)在工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究等方面有著重要作用。mos2和ws2是兩種二維層狀半導(dǎo)體過渡金屬硫化物材料，層與層之間通過范德華力結(jié)合在一起，其帶隙可根據(jù)層數(shù)的減小由間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?，且具有良好的柔性特點。橫向生長的ws2/mos2異質(zhì)結(jié)與單一的材料相比，在晶體管的光響應(yīng)特性、開關(guān)響應(yīng)速度以及氣敏特性上都具有顯著提高，因此通過對ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)的生長進(jìn)行調(diào)控，在以上應(yīng)用上均具有重大意義。 目前，廣大科研工作者利用水熱法、各種改進(jìn)cvd法進(jìn)行ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)的制備。但這些方法普遍存在制備條件苛刻，制備的異質(zhì)結(jié)薄膜面積?。煌瑫r難以對層數(shù)進(jìn)行控制，對其研究主要集中在單層材料上。已有研究證明，與單層tmds異質(zhì)結(jié)薄膜相比，少數(shù)層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)薄膜材料的態(tài)密度更大，在場效應(yīng)的應(yīng)用中產(chǎn)生多個導(dǎo)通通道，能夠產(chǎn)生相當(dāng)大的驅(qū)動電流。 為此，發(fā)明人經(jīng)過潛心研究，提出一種制備雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料的方法，獲得了雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料。 技術(shù)實現(xiàn)要素： 針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足和缺陷，本發(fā)明提供了一種雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料、制備方法及應(yīng)用，解決現(xiàn)有的制備方法所需條件較為苛刻且對ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)生長層數(shù)的難以調(diào)控的問題。 為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案予以實現(xiàn)： 一種雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料的制備方法，包括：將wo3粉、moo3粉和nacl固體顆粒混合研磨得到氧化物前驅(qū)體混合物，將氧化物前驅(qū)體混合物放置在石英管爐膛內(nèi)800～810℃的溫度區(qū)間，將襯底放置在氧化物前驅(qū)體混合物的正上方，襯底的氧化面朝下，將硫粉放置在石英管爐膛內(nèi)140～160℃的溫度區(qū)間，在保護(hù)氣氛、壓強為-0.1～-0.05mpa下反應(yīng)8～10min，在襯底上沉積雙層ws2/mos2橫向異質(zhì)結(jié)材料； 硫粉、wo3粉、moo3粉和nacl的質(zhì)量比為8000：100：100：1。 優(yōu)選的，以10～15℃/min的升溫速度升溫至800～810℃。 優(yōu)選的，所述的保護(hù)氣氛為氬氣，氬氣的氣體流速為80～100sccm。 優(yōu)選的，使用雙氧水與濃硫酸按體積比1：3配置而成的混合液對襯底進(jìn)行清