相關(guān)申請的交叉引用 本非臨時申請在美國法典第35卷第119節(jié)(a)款下要求2016年4月12日于日本提交的第2016-079258號專利申請的優(yōu)先權(quán)，所述專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。 本發(fā)明涉及適合用作部件上的低粉化抗腐蝕涂層的氟化釔噴涂涂層，所述部件暴露至腐蝕性等離子體氣氛，如制造半導(dǎo)體器件、液晶器件、有機el器件和無機el器件的過程中的腐蝕性鹵素系氣體，和涉及包括所述氟化釔噴涂涂層的多層結(jié)構(gòu)的抗腐蝕涂層。 背景技術(shù)： 在現(xiàn)有技術(shù)中，使用用于制造半導(dǎo)體器件、介電膜蝕刻系統(tǒng)、門蝕刻系統(tǒng)、cvd系統(tǒng)等的方法。因為涉及微圖案化的方法的高度集成技術(shù)經(jīng)常利用等離子體，所以腔構(gòu)件必須具有在等離子體中的抗腐蝕性。另外，為防止雜質(zhì)污染，該構(gòu)件由高純度材料形成。 用于半導(dǎo)體器件制造方法的典型的處理氣體為鹵素系氣體，例如氟系氣體如sf6、cf4、chf3、clf3、hf和nf3與氯系氣體如cl2、bcl3、hcl、ccl4和sicl4。將鹵素系氣體引入腔室，在腔室施加高頻率能量如微波以由所述氣體產(chǎn)生等離子體，采用等離子體進行處理。要求暴露至等離子體的腔室構(gòu)件具有抗腐蝕性。 用于等離子體處理的設(shè)備典型地包括在它們的表面上提供有抗腐蝕涂層的部件或組件。例如，已知具有通過將氧化釔(專利文獻1)和氟化釔(專利文獻2和3)噴涂至基材表面而在其上形成有涂層的金屬鋁基材或氧化鋁陶瓷基材的部件或構(gòu)件是完全抗腐蝕的并且在實踐中使用。用于保護暴露至等離子體的腔室構(gòu)件的內(nèi)壁的材料的實例包括陶瓷如石英和氧化鋁，表面陽極氧化的鋁，和陶瓷基材上的噴涂涂層。此外，專利文獻4公開了抗等離子體構(gòu)件，所述構(gòu)件在暴露至腐蝕性氣體中的等離子體的表面區(qū)域中包括(元素周期表中)第3a族金屬的層。金屬層典型地具有50至200μm的厚度。 然而，陶瓷構(gòu)件遇到包括高加工成本和粉化的問題，即，如果將構(gòu)件長時間暴露至腐蝕性氣體氣氛中的等離子體，則反應(yīng)性氣體導(dǎo)致從表面發(fā)生腐蝕，由此使構(gòu)成表面的晶粒剝落，產(chǎn)生顆粒。剝落的顆粒沉積在半導(dǎo)體晶片或更低的電極上，負面地影響蝕刻步驟的生產(chǎn)率。因此有必要除去導(dǎo)致顆粒污染的反應(yīng)產(chǎn)物。即使當(dāng)構(gòu)件表面由抗等離子體腐蝕性材料形成時，仍然有必要防止金屬污染基材。另外在陽極氧化的鋁和噴涂涂層的情況下，如果待涂覆的基材為金屬，則被所述金屬污染可能負面地影響蝕刻步驟的品質(zhì)收率。 另一方面，一旦