1.本技術(shù)涉及芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備。 背景技術(shù)： 2.隨著芯片面臨的功耗問題越來越嚴(yán)重，芯片功耗過大是芯片量產(chǎn)良率損失的主要原因之一。不同的晶片和不同的批次之間，因?yàn)閾诫s、刻蝕、溫度等外界因素導(dǎo)致mosfets參數(shù)的變化范圍比較大，為減輕設(shè)計(jì)困難度，需要將器件性能限制在某個(gè)范圍內(nèi)，并報(bào)廢超出這個(gè)范圍的芯片，一般芯片量產(chǎn)過程中篩片主要從兩方面限制功耗，其中一個(gè)是常溫靜態(tài)電流的上限，另一個(gè)是片上集成的監(jiān)測process快慢的osc振蕩電路環(huán)。僅僅基于這兩項(xiàng)測試，會有部分芯片在功耗邊界值附近有高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，即部分在功耗限制范圍內(nèi)的芯片高溫功耗異常，具體表現(xiàn)為芯片工作時(shí)結(jié)溫超過預(yù)設(shè)的值或廠家規(guī)定的芯片結(jié)溫的上限，部分在功耗限制范圍外的芯片高溫表現(xiàn)反而正常。如果為了不讓功耗限制范圍內(nèi)出現(xiàn)高溫反轉(zhuǎn)現(xiàn)象的芯片進(jìn)入市場，勢必要繼續(xù)降低功耗限制，這樣對量產(chǎn)芯片的良率的損失是巨大的。 3.因此，亟需一種新的芯片篩片方法來解決芯片量產(chǎn)篩片過程中功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 4.本技術(shù)的主要目的在于提供一種芯片的篩片方法、裝置及篩片設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中篩片方法的功耗限制低導(dǎo)致芯片良率低的問題。 5.根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)方面，提供了一種芯片的篩片方法，所述篩片方法包括：對多個(gè)樣品芯片進(jìn)行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足第一預(yù)定條件的所述樣品芯片確定為第一目標(biāo)芯片，獲取多個(gè)所述第一目標(biāo)芯片的靜態(tài)電流值和振蕩頻率值，并確定靜態(tài)電流閾值和振蕩頻率閾值，所述極限溫度為所述樣品芯片的應(yīng)用場景的最高環(huán)境溫度，所述第一預(yù)定條件為測試芯片正常工作且結(jié)溫值在第一預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第一目標(biāo)芯片進(jìn)行ft測試，將滿足第二預(yù)定條件的所述第一目標(biāo)芯片確定為第二目標(biāo)芯片，所述第二預(yù)定條件為測試芯片在預(yù)定時(shí)間內(nèi)的結(jié)溫溫升值在第二預(yù)定范圍內(nèi)；對所述第二目標(biāo)芯片進(jìn)行板級測試，所述板級測試的環(huán)境溫度為極限溫度，將滿足所述第一預(yù)定條件和所述第二預(yù)定條件的所述第二目標(biāo)芯片確定為第三目標(biāo)芯片，獲取所述第三目標(biāo)芯片在所述ft測試中的結(jié)溫溫升值，確定結(jié)溫溫升閾值；根據(jù)所述靜態(tài)電流閾值、所述振蕩頻率閾值和所述結(jié)溫溫升閾值對待測試芯片進(jìn)行篩片，所述待測試芯片與所述樣品芯片為相同型號的芯片。 6.可選地，在對所述第一目標(biāo)芯片進(jìn)行ft測試，將滿足