1.本發(fā)明涉及光伏電子漿料領(lǐng)域，尤其涉及用于低溫?zé)Y(jié)的晶體硅太陽電池銀鋁漿、制備方法、用途。 背景技術(shù)： 2.隨著光伏技術(shù)的快速發(fā)展，高效晶體硅太陽電池憑借其高轉(zhuǎn)換效率、壽命長等特性，逐漸成為光伏行業(yè)的主流，而相對低效的常規(guī)電池將逐漸退出市場。目前perc高效晶體硅太陽電池為主要技術(shù)路線，而n型電池技術(shù)也在快速發(fā)展。根據(jù)2020年itrpv研究機構(gòu)對光伏市場預(yù)測，2020年n型電池占光伏市場的10％左右，2029年后將占到42％的市場份額。 3.n型太陽能電池主要包括hjt電池、n型topcon晶體硅太陽電池和ibc電池，其中除了hjt電池使用低溫銀漿外，其余電池均用高溫銀鋁漿/銀漿。n型topcon晶體硅太陽電池最先于fronhofure太陽能研究所開發(fā)，它結(jié)合了熱氧化膜鈍化+多晶硅薄膜接觸等新技術(shù)，具備高開壓、大電流、高ff等特性，成為近兩年來國內(nèi)大型光伏電池公司/研究機構(gòu)研究的重要課題。n-topcon電池是n-pert技術(shù)的進(jìn)一步升級，目前規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的廠家主要有中來光伏、林洋科技、晶科能源、通威太陽能、英利等。盡管目前的問題還較多，工藝較為復(fù)雜，但批量效率已經(jīng)達(dá)到24.0％左右。天合光能制備的大規(guī)格n型多晶i-topcon電池的最高效率達(dá)到24.58％的新世界記錄，為n型topcon電池展示了其潛在的競爭力。 4.然而，n型topcon晶體硅太陽電池背面采用1～2nm隧道氧化層—100nm多晶硅膜—鈍化層的結(jié)構(gòu)設(shè)計，要求背面銀漿的腐蝕性更低；同時，正面的p+層表面摻雜濃度較低，單純的正銀漿料無法形成良好的歐姆接觸，需要采用正面銀鋁漿才能與p+形成良好的功函數(shù)匹配。 5.目前的太陽電池銀鋁漿一般都需要760～780℃的高溫?zé)Y(jié)，燒結(jié)溫度較高，容易出現(xiàn)燒穿背面多晶硅膜和隧道氧化層的問題。而且，正面銀鋁漿的釘扎作用也會更明顯，金屬誘導(dǎo)復(fù)合速度明顯增加，不利于實現(xiàn)高開壓和高轉(zhuǎn)化效率特性。現(xiàn)有銀鋁漿配方若在720～750℃燒結(jié)，接觸性能較差，接觸電阻率高，轉(zhuǎn)換效率低。隨著n型topcon晶體硅太陽電池的開發(fā)，n型topcon晶體硅太陽電池背面的多晶硅薄膜越來越薄，對燒結(jié)溫度越來越敏感，對正面銀鋁漿的匹配性提出了更高的要求。 技術(shù)實現(xiàn)要素： 6.本發(fā)明的目的在于提出一種用于低溫?zé)Y(jié)的晶體硅太陽電池銀鋁漿、制備方法及其用途，以解決現(xiàn)有技術(shù)中太陽電池銀鋁漿的燒