1.本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備加熱盤技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種基于化合物半導(dǎo)體設(shè)備的分區(qū)式加熱盤。 背景技術(shù)： 2.半導(dǎo)體設(shè)備，即在芯片制造和封測(cè)流程中應(yīng)用到的設(shè)備，廣義上也包括生產(chǎn)半導(dǎo)體原材料所需的機(jī)器設(shè)備。在整個(gè)芯片制造和封測(cè)過程中，會(huì)經(jīng)過上千道加工工序，涉及到的設(shè)備種類大體有九大類，細(xì)分又可以劃出百種不同的機(jī)臺(tái)，占比較大市場份額的主要有：光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、離子注入機(jī)、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、探針臺(tái)等。 3.半導(dǎo)體設(shè)備在沉積反應(yīng)時(shí)往往需要使晶圓及腔室空間預(yù)熱或維持在沉積反應(yīng)所需要的溫度，大多數(shù)半導(dǎo)體沉積設(shè)備都會(huì)使用加熱盤或靜電卡盤來實(shí)現(xiàn)給晶圓預(yù)熱的目的，但是目前市場上的加熱盤的加熱模式較為單一，往往只能夠?qū)崿F(xiàn)分區(qū)式加熱，對(duì)于一些對(duì)加熱面積需求大的工況不能夠?qū)崿F(xiàn)靈活的調(diào)整，從而造成使用上的局限性，而且市場上加熱盤的加熱方式均為平面式加熱，不能夠?qū)訜峤M件的加熱位置以及加熱角度進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得加熱效率低。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 4.針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種基于化合物半導(dǎo)體設(shè)備的分區(qū)式加熱盤。 5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：一種基于化合物半導(dǎo)體設(shè)備的分區(qū)式加熱盤，包括： 6.底板，底板表面設(shè)置有控制裝置，底板表面開設(shè)有滑動(dòng)槽； 7.加熱機(jī)構(gòu)，加熱機(jī)構(gòu)設(shè)置于底板的表面，加熱機(jī)構(gòu)與控制裝置電連接； 8.動(dòng)力機(jī)構(gòu)，動(dòng)力機(jī)構(gòu)設(shè)置于加熱機(jī)構(gòu)的表面，動(dòng)力機(jī)構(gòu)與控制裝置電連接，動(dòng)力機(jī)構(gòu)與加熱機(jī)構(gòu)固定連接； 9.傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)置于動(dòng)力機(jī)構(gòu)的表面，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)與動(dòng)力機(jī)構(gòu)配合。 10.作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：加熱機(jī)構(gòu)包括加熱組件和驅(qū)動(dòng)組件，加熱組件設(shè)置于底板的表面，加熱組件與控制裝置電連接，加熱組件設(shè)置有兩組，且兩組加熱組件對(duì)稱設(shè)置，驅(qū)動(dòng)組件設(shè)置于底板的表面，驅(qū)動(dòng)組件與控制裝置電連接，驅(qū)動(dòng)組件與加熱組件配合。 11.作為本發(fā)明進(jìn)一步的方案：加熱組件包括滑動(dòng)塊、移動(dòng)塊、轉(zhuǎn)動(dòng)板、轉(zhuǎn)動(dòng)軸、配合套、調(diào)節(jié)螺桿、限位桿、底盤、保溫板和加熱線圈，滑動(dòng)塊設(shè)置于滑動(dòng)槽內(nèi)，轉(zhuǎn)動(dòng)板設(shè)置于移動(dòng)塊靠近滑動(dòng)塊的表面，轉(zhuǎn)動(dòng)板與移動(dòng)塊固定連接，限位桿與移動(dòng)塊轉(zhuǎn)動(dòng)連接，轉(zhuǎn)動(dòng)板與限位桿固定連接；轉(zhuǎn)動(dòng)軸的兩端設(shè)置有配合套，調(diào)節(jié)螺桿通過配合套與轉(zhuǎn)動(dòng)軸可拆卸式固定連接，且兩側(cè)調(diào)節(jié)螺桿的螺紋旋向相反，調(diào)節(jié)螺桿與滑動(dòng)塊轉(zhuǎn)動(dòng)連接，底盤與限位桿滑動(dòng)連接，底盤設(shè)置有三個(gè)，中間的