1.本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器端面鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體激光器芯片腔面的鍍膜方法。 背景技術(shù)： 2.為了提升半導(dǎo)體激光器芯片的使用壽命，提高產(chǎn)品的可靠性能力，需要對(duì)芯片的前后腔面進(jìn)行鍍膜處理，實(shí)現(xiàn)對(duì)腔面的保護(hù)以及通過腔面不同膜層特性，實(shí)現(xiàn)對(duì)于激光器閾值的降低和功率的提升目的；尤其是隨著目前高速率芯片在摻雜時(shí)普遍采用ingaalas結(jié)構(gòu)，al在空氣中極易氧化，解理形成的腔面受到氧化后極易形成氧化物缺陷，導(dǎo)致激光器在運(yùn)行過程中容易在缺陷處形成熱量堆積，對(duì)腔面的膜層質(zhì)量造成影響，增大了膜層失效風(fēng)險(xiǎn)，直接導(dǎo)致激光器性能不穩(wěn)定，產(chǎn)品可靠性能力變差，直接影響產(chǎn)品使用壽命；同時(shí)，對(duì)于含al結(jié)構(gòu)的芯片而言，其腔面膜系的結(jié)構(gòu)，膜層的形貌好壞，以及其穩(wěn)定的光學(xué)性能都是直接影響激光器芯片的重要因素，它可以讓芯片的性能可靠性更加穩(wěn)定，耐沖擊更強(qiáng)，出光更加平穩(wěn)，壽命更長。 3.因此有必要設(shè)計(jì)一種可以保護(hù)半導(dǎo)體激光器芯片腔面并提升其可靠性的鍍膜方法，以克服上述問題。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 4.為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體激光器芯片腔面的鍍膜方法，在芯片前后腔面采用鍍al層并進(jìn)行部分氧化的膜系結(jié)構(gòu)，利用al層良好的耐腐蝕和抗氧化性能，當(dāng)它直接與腔面接觸時(shí)，能起到很好的保護(hù)作用，從而達(dá)到保護(hù)激光半導(dǎo)體腔面的效果，進(jìn)而避免腔面因氧化造成的可靠性問題。 5.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為一種半導(dǎo)體激光器芯片腔面的鍍膜方法，包括如下步驟：1）對(duì)待鍍膜的芯片進(jìn)行bar條解理，夾條，并快速放進(jìn)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備內(nèi)，抽真空；2）對(duì)芯片的出光腔面進(jìn)行離子源預(yù)清洗處理；3）在芯片的出光腔面上鍍高增透膜系，所述高增透膜系至少包括依次鍍覆在所述出光腔面上的第一al層和第一alo x 層；具體是先鍍al層，然后利用離子源通入o2進(jìn)行氧化處理；4）對(duì)芯片的背光腔面進(jìn)行離子源預(yù)清洗處理；5）在芯片的背光腔面上鍍高反膜系，所述高反膜系至少包括依次鍍覆在所述背光腔面上的第二al層和第二alo x 層；具體是先鍍al層，然后利用離子源通入o2進(jìn)行氧化處理。 6.進(jìn)一步地，步驟3）和步驟5）中，先鍍的al層的厚度為7~9nm。 7.進(jìn)一步地，步驟3）和步驟5）中，利用離子源通入o2進(jìn)行氧化處理的時(shí)間為100s。 8.進(jìn)一步地，步驟3）中，所述高增透膜系還包括依次鍍覆在所述第一