1.本技術(shù)涉及復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種碳化硅銅基復(fù)合材料及其制備方法和原料配方。 背景技術(shù)： 2.碳化硅銅基復(fù)合材料既具有銅合金的優(yōu)秀導(dǎo)熱性能，同時(shí)也具有碳化硅熱膨脹系數(shù)低、耐磨性好的優(yōu)點(diǎn)?？蓱?yīng)用于航空、航天、能源、汽車(chē)等領(lǐng)域，如散熱器、半導(dǎo)體、電觸頭、自潤(rùn)滑軸承、摩擦副等。與其他粉末冶金方法相比，采用注射成形的方法可以獲得更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，同時(shí)更適合工業(yè)的批量化生產(chǎn)。 3.碳化硅增強(qiáng)銅基復(fù)合材料性能提升的難點(diǎn)在于，銅與碳化硅潤(rùn)濕性差，界面結(jié)合強(qiáng)度低，且銅在800℃左右會(huì)與sic發(fā)生界面反應(yīng)阻礙燒結(jié)。普遍提及的碳化硅粉末鍍銅或鉻等方法因成本過(guò)高，目前不具備量產(chǎn)可能。 技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素： 4.本技術(shù)的內(nèi)容部分用于以簡(jiǎn)要的形式介紹構(gòu)思，這些構(gòu)思將在后面的具體實(shí)施方式部分被詳細(xì)描述。本技術(shù)的內(nèi)容部分并不旨在標(biāo)識(shí)要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求的保護(hù)的技術(shù)方案的范圍。 5.本技術(shù)的一些實(shí)施例提出了一種碳化硅銅基復(fù)合材料及其制備方法和原料配方，來(lái)解決以上背景技術(shù)部分提到的技術(shù)問(wèn)題。 6.作為本技術(shù)的第一方面，本技術(shù)的一些實(shí)施例提供了一種碳化硅銅基復(fù)合材料的制備方法，包括：將碳化硅顆粒、銅粉、鈦粉以及粘結(jié)劑進(jìn)行混煉以得到混煉料塊；將所述混煉料塊投入至造粒機(jī)進(jìn)行造粒以得到待注顆粒；將所述待注顆粒填加至注射機(jī)并向注射模具中進(jìn)行注射以得到待脫生坯；將所述待脫生坯轉(zhuǎn)移至草酸爐進(jìn)行脫脂處理以得到待燒生坯；將所述待燒生坯轉(zhuǎn)移至燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)以得到最終產(chǎn)物；其中，所述碳化硅顆粒在混煉原料中的體積分?jǐn)?shù)的取值范圍為3％至10％；所述銅粉在混煉原料中的體積分?jǐn)?shù)的取值范圍為75至85％；所述鈦粉在混煉原料中的體積分?jǐn)?shù)的取值范圍為0.8％至1.2％；所述粘結(jié)劑在混煉原料中的體積分?jǐn)?shù)的取值范圍為12％至15％。 7.進(jìn)一步的，所述銅粉為球形粉末且其中位徑的取值范圍為20μm至30μm。 8.進(jìn)一步的，所述鈦粉為球形粉末且其中位徑的取值范圍為19μm至21μm；所述鈦粉的氧含量小于1800ppm。 9.進(jìn)一步的，所述碳化硅顆粒的粒度取值范圍為250目至1000目。 10.進(jìn)一步的，所述碳化硅顆粒為β晶型顆粒。 11.進(jìn)一步的，所述粘結(jié)劑包含：聚甲醛pom、hdpe、pp、sebs、abs、eva、sa、wax以及bht抗氧化劑中一種或幾種。 12