本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于太陽能電池片鍍膜和光注入的集成設(shè)備和工藝。
背景技術(shù):
光伏發(fā)電已經(jīng)成為一種可替代化石能源的技術(shù),這依賴于近年不斷降低的生產(chǎn)成本和光電轉(zhuǎn)換效率的提升。按照光伏電池片的材質(zhì),太陽能電池大致可以分為兩類:一類是晶體硅太陽能電池,包括單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池;另一類是薄膜太陽能電池,主要包括非晶硅太陽能電池、碲化鎘太陽能電池及銅銦鎵硒太陽能電池等。目前,以高純度硅材作為主要原材料的晶體硅太陽能電池是主流產(chǎn)品,所占的比例在80%以上。
在晶體硅太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的最核心步驟之一是將晶體硅加工成實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換的電池片的工序,因而電池片的光電轉(zhuǎn)換效率也成為了體現(xiàn)晶體硅太陽能發(fā)電系統(tǒng)技術(shù)水平的關(guān)鍵指標(biāo)。
提升電池效率,建立鈍化接觸是關(guān)鍵。由于光生載流子在硅片內(nèi)部快速運(yùn)動,一旦接觸表面就會導(dǎo)致復(fù)合而無法收集成電流發(fā)電。如果在表面鍍一層特別的保護(hù)膜,像氧化硅、氮化硅、氧化鋁、非晶硅等由于表面晶硅表面化學(xué)鍵的飽和以及薄膜和晶硅之間形成的電荷場,它們能有效阻止少子在表面的復(fù)合。
為了進(jìn)一步提升效率,新的電池理論模擬要求鈍化層全覆蓋,載流子通過隧道穿透效應(yīng)到達(dá)覆蓋在鈍化層上的導(dǎo)電層。hit電池就是基于這個(gè)理念設(shè)計(jì)的新電池,其具有發(fā)電量高、度電成本低的優(yōu)勢。
hit電池也叫做異質(zhì)結(jié)電池,其全稱為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池。hit電池最早由日本三洋公司研發(fā),其后日本的kaneka、美國的solarcity等相關(guān)企業(yè)相繼進(jìn)行跟進(jìn)。相較于傳統(tǒng)的太陽能電池而言,hit電池創(chuàng)新性的采用了單晶硅襯底和非晶硅薄膜異質(zhì)結(jié)的結(jié)構(gòu),其在晶體硅上沉積非晶硅薄膜的做法,讓hit電池兼具了晶體硅電池與薄膜電池的優(yōu)勢。hit電池具有結(jié)構(gòu)簡單、穩(wěn)定性高、電池成本低、工藝溫度低、光電轉(zhuǎn)換效率高、溫度特性好、雙面發(fā)電等眾多的特點(diǎn),hit電池組件為電池行業(yè)從業(yè)者公認(rèn)的未來電池技術(shù)終極解決方案,也被譽(yù)為光伏電池產(chǎn)業(yè)的下一個(gè)風(fēng)口。
hit電池作為一種高效太陽能電池,它的常規(guī)制備流程是:1、清洗制絨;2.非晶硅鍍膜;3、tco鍍膜;4、印刷銀線。然而,最新研究發(fā)現(xiàn),在太陽能電池制造完成后,在高于200℃的溫度下,對太陽能電池表面進(jìn)行一段時(shí)間的強(qiáng)光照射,電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以進(jìn)一步提升0.2-1.0%。因此,為進(jìn)一步提升hit電池轉(zhuǎn)換效率,在印刷銀線工序后,增
聲明:
“用于太陽能電池片鍍膜和光注入的集成設(shè)備和工藝的制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)