箱式化學氣相沉積系統(tǒng) 213     

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箱式化學氣相沉積系統(tǒng)采用爐體和智能控制一體化設計，整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫，移相觸發(fā)，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷循環(huán)系統(tǒng)，爐門底部升降，節(jié)能安全。化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

流化床CVD系統(tǒng) 238     

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定制流化床CVD系統(tǒng)，由真空立式管式爐、供氣系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。該系統(tǒng)以硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。該立式CVD管式爐廣泛應用于半導體工業(yè)中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等

1200℃雙管滑道式CVD系統(tǒng) 203     

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該系統(tǒng)是一個特殊的雙管CVD系統(tǒng),是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌，可通過滑動爐子可以實現(xiàn)物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業(yè)中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

四路高溫真空CVD設備 217     

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KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)組成 ，最高溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統(tǒng)是流量調節(jié)可以是質子流量計，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部。快速退火爐爐管兩端安裝真空法蘭，真空度用分子泵可以到10-5Torr，機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端，是低成本快速熱處理的理想爐子。

帶蒸發(fā)器定制款CVD系統(tǒng) 206     

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該設備由蒸發(fā)器、混合器和反應器組成。采用氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，30段可編程溫控系統(tǒng)，氣路選用液晶屏觸摸界面，使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數(shù)。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業(yè)中，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜，該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環(huán)保科學等領域。

1200度CVD設備 197     

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KJ-T1200 CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統(tǒng)。 它可以混合1-5種氣體用于CVD或擴散。該CVD高溫管式爐主要用于大學，科研機構和生產(chǎn)企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產(chǎn)。

混氣PECVD設備 206     

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KJ-T1200 PECVD 是一種 PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)的管式爐系統(tǒng)，它由 500W 射頻電源、帶有 200毫米直徑石英管的可拆分管式爐、真空泵和三通道質量流量計氣體流動系統(tǒng)組成。它可以混合 1-3 種氣體用于 CVD 或擴散。

1500℃高溫CVD 系統(tǒng) 198     

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KJ-CVD 是一種分體式管式爐，配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統(tǒng)。 可混合1-6種氣體進行CVD?？頒VD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

高溫化學氣相沉積系統(tǒng) 202     

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該高溫化學氣相沉積系統(tǒng)的工作溫度為300℃至1600℃，配備真空泵，氣體混合裝置。采用溫度控制系統(tǒng)，高溫精度，出色的氣體流量精度，易于操作，出色的隔熱效果和溫度均勻性。 主要用于大學，科研機構和生產(chǎn)企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產(chǎn)。

管式PECVD系統(tǒng) 197     

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PECVD系統(tǒng)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統(tǒng)廣泛應用于沉積SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。

實驗型氧化擴散爐 190     

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鄭州科佳KJ150-XK是一款管式擴散氧化爐，適用于企業(yè)研發(fā)、大學及科研院所的科研與教學?？蓾M足多晶硅、氮化硅、擴散、氧化、退火等工藝。

帶預熱系統(tǒng)滑動式PECVD設備 200     

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該設備是一款帶有預熱系統(tǒng)的滑動PECVD系統(tǒng)。該系統(tǒng)包含等離子射頻電源，預熱爐，滑動式管式爐，4通道質量流量供氣系統(tǒng)和旋片泵組成。 PECVD系統(tǒng)是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，可用于生長納米或CVD方法來制作各種薄膜。

搖臂式集成控制PECVD設備 199     

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科佳高真空PECVD設備由管式爐、真空系統(tǒng)、氣體供應系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)等組成。通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變?yōu)殡x子狀態(tài)，等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統(tǒng)主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、石墨烯等的生長。

低真空CVD系統(tǒng) 210     

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此款CVD系統(tǒng)工作溫度為300℃至1200℃，配備真空泵，氣體混合裝置。采用了溫度控制系統(tǒng)，高溫精度，出色的氣體流量精度，易于操作，有非常好的隔熱效果和溫度均勻性。 主要用于大學，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產(chǎn)。此款CVD高溫管式爐適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。

立式雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) 202     

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該立式雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)主要由：1200度雙溫區(qū)管式爐、3通道質量流量計供氣系統(tǒng)、2L/S抽速真空泵及相關連接件組成;設備下方加裝定向輪和萬向輪，設備整體占地尺寸小并可靈活移動。該設備適用于CVD工藝，主要用于大學，研究中心和生產(chǎn)企業(yè)進行氣相沉積相關的實驗與生產(chǎn)。

立式流化床CVD 194     

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這款立式流化床CVD系統(tǒng)，專門針對粉末表面沉積的CVD實驗。

碳納米管/納米線CVD生長爐 184     

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科佳公司研制開發(fā)了碳納米管、納米線連續(xù)生長專用設備，該設備由氣流控制系統(tǒng)、注液系統(tǒng)、多級溫控多區(qū)生長系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、碳納米管等組成。碳納米管生長爐最高工作溫度為1400℃，可在0-1400℃之間連續(xù)調節(jié)，熱場垂直分布，兩點控溫。設備頂部設有注液口和導流件。這種碳納米管/薄膜CVD設備可以實現(xiàn)連續(xù)和不間斷生長。

石墨烯生長爐PECVD設備 187     

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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統(tǒng)、質量流量計氣路系統(tǒng)、等離子電源系統(tǒng)組成?？蛇m用于石墨烯生長等。

石墨烯CVD生長爐 189     

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適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、二維材料生長、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。

大口徑CVD管式爐 363     

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包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。也可用于：真空燒結、真空氣氛保護燒結、納米材料制備、電池材料制備等多研究領域。

旋轉PECVD系統(tǒng) 248     

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該系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。

1200雙溫區(qū)觸摸屏CVD系統(tǒng) 365     

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KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑的高純石英爐管、真空泵和四通道質量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統(tǒng)。它可以混合1-4種氣體用于CVD或擴散。

高真空PECVD設備(六通道) 192     

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六通道高真空PECVD系統(tǒng)是一款由1200度管式爐，等離子射頻電源，分子泵高真空，六通道氣路等組成的等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，加熱腔體采用氧化鋁纖維制品，其極低的熱導率和比熱容，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱，特別適合于科研單位的材料工藝研究。該等離子化學沉積系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可應用于納米材料生長，石墨烯生成、金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜等各種薄膜等，可制備出高質量的透明導電膜,用作手機觸摸屏

石墨稀、碳納米管材料CVD設備 191     

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該設備主要用于石墨稀、納米材料工藝涂層、多晶硅、碳化硅、擴散、氧化、退火等工藝。

1700℃帶攪拌功能升降爐 180     

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KJ-MZ1700-12LX帶攪拌功能升降式爐主要應用于院校實驗室、工礦企業(yè)實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和溶解，小型鋼件等加熱、焙燒、熱處理用。

1600℃底部裝料馬弗爐 380     

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這款底部裝料馬弗爐工作溫度≤1600℃。緊湊型爐腔設計，帶升降托盤，爐底可升降。該高溫箱式升降爐是研究實驗室中進行材料退火和燒結的理想設備。

1600℃鐘罩爐 195     

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1600℃鐘罩爐集聚了科佳電爐多年大型電爐開發(fā)生產(chǎn)的多重經(jīng)驗，廣泛吸取中外同類產(chǎn)品的優(yōu)良技術和產(chǎn)品理念，在結構、材料等多個關鍵環(huán)節(jié)上不斷創(chuàng)新和探索，針對客戶的個性需求和工藝特點，不斷提高和發(fā)展而成的新型高溫鐘罩爐。這款1600℃鐘罩爐為客戶定制款，主要用于熔融高純玻璃、焙燒：電子陶瓷、生物陶瓷、磁性材料和難熔金屬等。

鐘罩燒結爐 379     

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本設備廣泛用于高校、科研院所、工礦企業(yè)等，是做粉末、電子、冶金、醫(yī)藥、陶瓷、硫磺、玻璃新材料、化工、金屬燒結和金屬熱處理等實驗和生產(chǎn)的理想設備。

底部裝料馬弗爐 206     

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該有底部裝料馬弗爐由優(yōu)質氧化鋁纖維和硅鉬棒加熱元件組成，內腔四面加熱，爐底可升降。是研究實驗室中進行材料退火和燒結的理想設備。

一體式高溫臺車爐 273     

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本設備廣泛用于高校、科研院所、工礦企業(yè)等做粉末、電子、冶金、醫(yī)藥、陶瓷、硫磺、玻璃新材料、化工、金屬燒結和金屬熱處理等實驗和生產(chǎn)。