設(shè)備介紹

箱式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用爐體和智能控制一體化設(shè)計，整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫，移相觸發(fā)，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風(fēng)冷循環(huán)系統(tǒng)，爐門底部升降，節(jié)能安全?；瘜W(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。 該系列產(chǎn)品可廣泛用于高等院校、科研單位、工礦企業(yè)進(jìn)行：高溫實(shí)驗(yàn)、材料燒結(jié)、成分分析，質(zhì)量檢測等熱處理工作。

產(chǎn)品優(yōu)勢

工作溫度可選

不同的加熱元件達(dá)到最高1200℃、1400℃、1700℃，溫場均衡，可根據(jù)需求選擇溫度

適用范圍廣

是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料、二維材料等

可設(shè)置30段升降溫程序

控溫系統(tǒng)采用PID方式調(diào)節(jié)，可以設(shè)置30段升降溫程序，移相觸發(fā)，控溫精度可以達(dá)到±1℃

技術(shù)參數(shù)

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