GSL-1600X-FS3KW是一款1600℃水平式閃燒爐,專為快速燒結陶瓷材料而設計,配備3KW可編程交流電源,可通過電極法蘭將正負極電極絲引入剛玉樣品夾具,施加電場實現(xiàn)閃燒工藝。其最高溫度可達1600℃,采用硅鉬棒加熱元件,加熱區(qū)長度為290mm,推薦升溫速率為≤10℃/min。相較于傳統(tǒng)燒結工藝,該設備具有超快速、節(jié)能且有利于制備細晶化陶瓷的優(yōu)勢。其可廣泛應用于固體氧化物燃料電池、鐵電熱電陶瓷、固態(tài)電解質等領域的材料燒結。在冶金領域,這種快速燒結技術可用于研究陶瓷材料的微觀結構和性能,為開發(fā)高性能陶瓷基復合材料提供支持。
SKJ-1650-ZM是一款1650℃真空感應區(qū)熔爐,由15KW感應電源、密封石英管裝樣及測溫裝置、線圈和坩堝伺服升降機構、水冷機以及PLC控制系統(tǒng)組成。該設備最高溫度可達1650℃,可在真空或氣氛環(huán)境下實現(xiàn)材料的熔化提純、定向凝固以及單晶生長等實驗工藝。在冶金領域,SKJ-1650-ZM可用于金屬材料的凈化提純和定向凝固,幫助研究人員開發(fā)高性能金屬材料。
OTF-1200X-50-DSL是一款專為定向生長單壁碳納米管(SWCNTs)設計的水平滑軌式CVD生長爐,同時也適用于在硅片上生長低熔點金屬單晶。其爐管直徑為Φ50mm,爐體滑動速度可在1mm/s至100mm/s范圍內(nèi)調節(jié),并支持左右反復滑動及自定義滑動距離,為實驗提供了高度的靈活性。該系統(tǒng)配備可設置30段程序的高溫爐、一根Φ50×1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭,能夠滿足多種材料生長的需求。在冶金領域,該設備可用于研究低熔點金屬的單晶生長機制,為開發(fā)高性能金屬材料提供重要的實驗支持。
RC-Ni-100是一款專為高溫高壓冶金實驗設計的100ml反應釜,采用鎳基高溫合金鋼制作,具有極高的蠕變強度和抗氧化性。該設備最高工作溫度可達1100℃,在該溫度下可承受最高壓力為4MPa,非常適合在高壓氧環(huán)境下對金屬樣品進行熱處理,以及通過水熱法合成高性能冶金材料。其優(yōu)異的耐高溫高壓性能,使其成為冶金領域研究和開發(fā)新型材料及工藝的理想工具。
SKJ-50CZ是一款高質量的CZ晶體生長爐,最高溫度可達2100℃,適用于冶金領域中高純度金屬單晶及氧化物單晶的生長。該設備可生長藍寶石、GGG、YAG、LaAlO?、Si、Ge等多種材料,最大晶體尺寸可達3英寸。其配備中/高頻切換復合感應電源,滿足不同材料的熔煉需求,同時采用高精度上稱重模式和在線稱量裝置,確保晶體生長過程的精確控制。此外,設備還具備高真空度(最高可達5.0×10?3Pa)和全不銹鋼水冷腔體,保證生長環(huán)境的穩(wěn)定。
SKJ-BG1650是一款高質量的1650℃布里奇曼單晶生長爐,適用于冶金領域中金屬單晶及多晶材料的生長。該設備最高溫度可達1650℃,已成功生長出Cu、Ag、Au、Fe和Mg等金屬單晶,單晶直徑可達37mm。它配備電動坩堝放置系統(tǒng),便于樣品的放置和取出。此外,該設備還可用于多晶棒的定向凝固,在冶金材料的研究和開發(fā)中具有重要應用價值。
SKJ-LCZ是一款特殊的提拉法(CZ)晶體生長爐,采用懸浮熔煉技術,最高溫度可達2000℃,適用于生長高純度金屬(合金)單晶。該設備由高頻感應加熱電源、高真空腔體、水冷銅坩堝(懸浮熔煉)和精密提拉機構組成。懸浮熔煉技術避免了坩堝對金屬樣品的污染,能夠生長出高純度的金屬單晶。這種爐體設計在冶金領域具有重要意義,尤其適用于高純金屬及合金的單晶生長,可廣泛用于研究和開發(fā)高性能金屬材料。
SKJ-VE2000是一款小型火焰法單晶生長爐,最高溫度可達2000℃,專門用于生長各種氧化物晶體,如SrTiO?、Al?O?和TiO?等。設備配備質量流量計,可精確調節(jié)氫氣和氧氣流量,同時通過調節(jié)料斗震動頻率控制粉料出料量,籽晶臺具備自動下降和轉動功能。在冶金領域,該設備可用于研究高性能氧化物晶體的生長機制,為開發(fā)新型冶金材料和優(yōu)化晶體生長工藝提供重要的實驗支持。
GSL-1800X-PGEP是一款專為納米結構氧化物合成設計的多功能系統(tǒng),廣泛應用于冶金領域。該系統(tǒng)由超聲霧化裝置、1800℃管式爐和靜電沉降裝置組成,通過前驅體霧化、高溫加熱和納米顆粒收集三個步驟,實現(xiàn)納米材料的精確制備。其獨特的設計能夠精準控制顆粒尺寸、形態(tài)以及納米/微粒結構,為冶金研究提供了一種先進的實驗手段,尤其適用于開發(fā)高性能納米復合材料和新型冶金催化劑,助力冶金工藝的創(chuàng)新與優(yōu)化。
VTF-1200X-III-TSSG是一款3溫區(qū)頂部籽晶助熔劑法(TSSG)晶體生長爐。此設備主要由3部分組成:3溫區(qū)加熱爐(爐膛尺寸為:Φ127mm×600mm,最高溫度為1200℃),溫控系統(tǒng)可設置28段溫度程序段,控溫精度±1℃和精密旋轉提拉機構,其提拉速度為0.8-50mm/hour。
OTF-1200X-SCB是一款小型晶體生長爐,適用于提拉法或布里奇曼法生長單晶,其最高溫度可達1100℃。設備主要由提拉機構和爐體組成,提拉機構具有提拉&旋轉功能,爐體采用立式雙溫區(qū)管式爐,爐管為直徑為Φ50mm的石英管,并且配有不銹鋼密封法蘭,此設備可采用提拉法(用籽晶從熔融態(tài)原來中提拉出單晶)或布里奇曼法(將樣品封入到小石英試管里,石英試管在加熱區(qū)內(nèi)向下移動)生長各種單晶。
FMF-65是一款落地式水冷坩堝真空懸浮感應熔煉爐系統(tǒng),并且?guī)в雄釄鍍A倒裝置,可做金屬澆注實驗,可用于新一代磁性合金和金屬材料的探索研究。設備中包含一功率高達65KW的感應熔煉爐,可有效地加熱高達250g的金屬樣品(Ti),最高加熱溫度達1800℃。不銹鋼真空腔體保證樣品可在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熔煉,采用特殊樣式的水冷銅坩堝使得金屬樣品能夠在熔煉過程中懸浮,避免了坩堝對物料的污染。熔煉過程中強烈的電磁攪拌也能夠保證其樣品內(nèi)部的溫度及化學成分的均一性。
GSL-2000X-HV是一款高性能的高溫高真空氣氛燒結爐,最高燒結溫度可達2000℃,真空度高達10?? Torr(配備擴散泵),能夠滿足多種材料在不同氣氛條件下的燒結需求。設備安裝尺寸為1300mm×700mm×1750mm,重量為520kg,適用于高校、科研機構和企業(yè)實驗室進行高溫材料合成、陶瓷燒結、金屬加工等實驗,是材料科學研究和開發(fā)的理想設備。
IMCS-1700-S是一款小型金屬熔煉/鑄造爐,最高溫度可達1700℃,專為在惰性氣體保護環(huán)境下熔煉和鑄造各種合金設計,最大熔煉量約為80g。設備安裝尺寸為560mm×540mm×610mm(長×寬×高),重量為120kg,結構緊湊,適合實驗室和小規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境,是高校、科研機構及企業(yè)進行合金研發(fā)和材料實驗的理想選擇。
VMCS-1200-LD是一款1200℃的熔煉/鑄造爐,適合在氣氛保護環(huán)境下熔煉各種合金,最高溫度可達1200℃。該設備采用封閉腔體設計,可有效防止樣品在熔煉和澆注過程中生成氧化物及形成缺陷。其石墨坩堝直徑為60mm,配備電阻絲加熱和石墨攪拌棒,能夠快速熔煉金屬,僅需6-8分鐘。此外,該設備操作簡單,只需設置鑄造溫度、添加樣品并擠壓操縱桿即可完成澆注。設備安裝尺寸為770mm×460mm×460mm,重量為54kg,配備雙極旋片真空泵,所需氣體流量為5L/min。
IMCS-1700HP是一款高壓氣氛控制感應熔煉/鑄造/造粒爐,最高工作溫度可達1700℃,腔體可承受氣壓為1MPa,適用于處理1kg合金樣品。該設備采用三相380VAC電源,最大輸入功率為25kW,配備感應線圈尺寸為170mm(內(nèi)徑)×110mm(高),并具備自動水壓、過熱和功率過高保護功能。熔煉腔體采用SS304不銹鋼制作,帶有水冷夾層,確保工作時表面溫度低于60℃,并配備安全卸壓閥。溫控系統(tǒng)采用PID方式控溫,可設置30段升降溫程序,控溫精度為±5℃,連續(xù)工作溫度范圍為500℃~1600℃,短時間內(nèi)可達到1700℃。
OTF-1200X-Ⅱ-S2是一款雙溫區(qū)帶有升降雙通道進料系統(tǒng)的共蒸發(fā)多層沉積管式爐,通過升降雙通道進料系統(tǒng)可裝載4個不同材料的蒸發(fā)坩堝舟,并且可一次同時送入兩個蒸發(fā)坩堝源進入管式爐中進行共蒸發(fā)或反應蒸發(fā)。雙溫區(qū)管式爐可以實現(xiàn)快速加熱,并且通過對各個溫區(qū)設置不同的加熱溫度可以創(chuàng)建不同的溫度梯度從而實現(xiàn)蒸發(fā)沉積。雙通道進料系統(tǒng)可以在程序控制下將2個裝載不同蒸發(fā)料的坩堝一同推進拉出,實現(xiàn)共蒸發(fā)或者反應蒸發(fā),特別適用于多層二維晶體材料的制備。
SPG-6VMS是一款微型真空懸浮感應熔煉系統(tǒng),特別適合新一代磁性材料及金屬合金的探索研究。成套設備中包括一6KW的高頻感應熔煉爐,還包括了真空泵和石英管使樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熔煉,而且含有一特殊設計的螺旋錐型銅線圈,使得樣品在熔煉過程中產(chǎn)生微懸浮,保證樣品不被雜質污染,熔融金屬內(nèi)部產(chǎn)生磁渦流,得到高純的金屬單質或是成分均勻的合金鑄錠。
OTF-1100X-15-III是一款通過CE認證的三溫區(qū)管式爐,采用15英寸石英爐管及不銹鋼密封法蘭(安裝有不銹鋼截止閥和機械壓力表)。爐體設計為電動開啟式。三個溫區(qū)獨立控制,可設置30段升降溫曲線,帶有超溫和短偶保護,控溫精度為+/-0.5 oC。此款設備廣泛應用于各種材料在真空或氣氛保護環(huán)境下的熱處理。
OTF-1200X-IV-S是一款迷你型的4溫區(qū)管式爐,所有電器元件都通過了UL / MET / CSA認證。此款管式爐最高工作溫度1100℃,共有4個溫區(qū),每個溫區(qū)長度為100mmL爐管直徑為25mm或50mm,并配有一套不銹鋼密封法蘭,可對樣品在真空或氣氛保護環(huán)境下進行熱處理。每個溫區(qū)由獨立的溫控系統(tǒng)控制,都可設置30段升降溫程序,控溫精度為+/-1℃。
OTF-1200X-V是一款通過CE認證的是五溫區(qū)開啟式管式爐,每個溫區(qū)分別由五個獨立溫控系統(tǒng)單獨控制,通過調節(jié)各個溫區(qū)的溫度,可以在加熱區(qū)內(nèi)形成四段溫度梯度或是形成較長的恒溫區(qū)域。每個控溫系統(tǒng)都采用PID方式調節(jié),可以設置30段升降溫程序,采用K型omega熱電偶進行溫度的測量和控制,其控溫精度可以達到+/- 1℃。
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