權(quán)利要求書(shū)： 1.一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：它包括由向光面至背光面依次疊設(shè)的第一電極、第一導(dǎo)電膜層、P型微晶疊層、本征膜層、半導(dǎo)體基板、隧穿氧化層、N型半導(dǎo)體膜層、第二導(dǎo)電膜層以及第二電極；所述P型微晶疊層包含一層以上的含氧型微晶層和一層以上的非含氧型微晶層。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述半導(dǎo)體基板為單晶硅片，所述半導(dǎo)體基板向光面設(shè)有金字塔絨面，所述半導(dǎo)體基板背光面為化學(xué)拋光面。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述本征膜層為氫化本征非晶硅層，厚度為3?12nm；所述P型半導(dǎo)體膜層的厚度為9?45nm。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體膜層為N型多晶硅層。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述隧穿氧化層厚度為1? 2nm；所述N型多晶硅層的厚度為20?300nm、方阻為30?200Ω/□。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述P型微晶疊層包括由向光面至背光面依次疊設(shè)的非含氧型微晶層、含氧型微晶層以及非含氧型孵育層，其對(duì)應(yīng)的膜厚比例為（0.5?1.5）：1：（0.15?0.6）。 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述P型微晶疊層的各個(gè)膜層為逐階段提高P型摻雜氣體與硅烷的比值進(jìn)行沉積形成。 8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述第一導(dǎo)電膜層和/或第二導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電膜層；所述透明導(dǎo)電膜層為氧化銦錫、摻鎢的氧化銦、摻鎵摻鋅氧化銦、摻鋁氧化鋅、摻鋅氧化銦、摻鎵氧化鋅、摻鈦氧化銦的一種膜層或兩種以上膜層組合。 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述第一導(dǎo)電膜層的厚度為 60?110nm；所述第二導(dǎo)電膜層的厚度為15?50nm。 10.根據(jù)權(quán)利要求1?9任意一項(xiàng)所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述N型半導(dǎo)體膜層和第二導(dǎo)電膜層之間設(shè)有高摻雜晶化硅膜層。 11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，其特征在于：所述高摻雜晶化硅膜層的 19 20 ?3 厚度為0.3 3nm，其摻雜濃度為1×10 ?2×10 cm 。 ~ 說(shuō)明書(shū)： 異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域[00