權(quán)利要求書： 1.一種用于制造異質(zhì)結(jié)太陽能電池的方法，所述方法包括以下步驟： (a).通過制絨清洗工藝對N型單晶硅片進(jìn)行制絨及清洗； (b).通過本征PECD工藝在N型單晶硅片的正反兩面上分別形成第一本征非晶硅層以及第二本征非晶硅層； (c).通過第一N型PECD工藝在所述第一本征非晶硅層上形成第一N型非晶微晶混合層； (d).通過第二N型PECD工藝在所述第一N型非晶微晶混合層上形成第二N型非晶微晶混合層； (e).通過第三N型PECD工藝在所述第二N型非晶微晶混合層上形成第三N型非晶微晶混合層； (f).通過P型PECD工藝在所述第二本征非晶硅層上形成P型非晶硅層； (g).通過反應(yīng)等離子沉積工藝或者物理氣相沉積工藝在所述第三N型非晶微晶混合層以及所述P型非晶硅層上分別形成第一透明導(dǎo)電膜以及第二透明導(dǎo)電膜；以及(h).通過絲網(wǎng)印刷工藝在所述第一透明導(dǎo)電膜以及所述第二透明導(dǎo)電膜上分別形成第一電極以及第二電極； 其中所述第一N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為0.1～1mbar、150～220℃、1～20S、100～ 3000sccm、50～5000sccm、50～500sccm、0～200sccm以及50～1000W，所述第二N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時間、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～20S、1000～50000sccm、100～1000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，所述第三N型PECD工藝的沉積壓力、沉積溫度、沉積時間、氫氣流量、硅烷流量、磷化氫流量、二氧化碳流量以及射頻功率分別為1.5～3.5mbar、150～220℃、1～ 20S、100～2000sccm、1000～50000sccm、200～2000sccm、50～500sccm以及1500～10000W，其中所述第三N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比為所述第二N型PECD工藝中磷化氫流量與硅烷流量之比的2～2.5倍； 所述第一N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為0～30％，所述第二N型非晶微晶混合層中微晶硅所占比率為40～60％，所述第