權(quán)利要求書： 1.一種光伏設(shè)備的系統(tǒng)，包括： 多個晶圓，所述多個晶圓中的每一個晶圓都包括： 連續(xù)的基極半導體區(qū)，所述連續(xù)的基極半導體區(qū)自始至終具有恒定的導電率并且具有多數(shù)電荷載流子，其中連續(xù)的基極半導體區(qū)在一個平面中延伸； 第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)，所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)與所述連續(xù)的基極半導體區(qū)接觸，其中所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)是摻雜的，從而與所述連續(xù)的基極半導體區(qū)具有相反電荷的多數(shù)電荷載流子，其中所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)平行于所述平面延伸； 第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)，所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)與所述連續(xù)的基極半導體區(qū)接觸，其中所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)是摻雜的，從而與所述連續(xù)的基極半導體區(qū)共享多數(shù)型載流子，其中所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)具有比所述連續(xù)的基極半導體區(qū)更大的多數(shù)載流子濃度，其中所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)平行于所述平面延伸； 其中第一光伏設(shè)備形成在晶圓上且由以下部分組成： 所述連續(xù)的基極半導體區(qū)的第一部分； 所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第一部分； 所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第一部分； 并且還包括： 與所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第一部分電氣接觸的第一導電層； 與所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第一部分電氣接觸的第二導電層； 其中第二光伏設(shè)備形成在晶圓上且由以下部分組成： 所述連續(xù)的基極半導體區(qū)的第二部分； 所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第二部分； 所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第二部分； 并且還包括： 與所述第一物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第二部分電氣接觸的第三導電層； 與所述第二物理上連續(xù)的半導體區(qū)的第二部分電氣接觸的第四導電層； 其中所述第一導電層和所述第三導電層彼此隔開第一寬度，使得所述第一導電層和所述第三導電層不直接物理接觸； 其中所述第二導電層和所述第四導電層彼此隔開第二寬度，使得所述第二導電層和所述第四導電層不直接物理接觸，并且其中所述第二寬度沿著正交于所述平面的軸線與所述第一寬度對齊； 第一互連件，其中所述第一互連件連接多個晶圓的第一晶圓上的第一導電層與多個晶圓的第二晶圓上的第二導電層；以及第二互連件，其中所述第二互連件連接第一晶圓上的第三導電層與第二晶圓上的第四導電層。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一物理上