權(quán)利要求書： 1.串聯(lián)太陽能電池，包括頂部太陽能電池和底部太陽能電池；所述頂部太陽能電池和所述底部太陽能電池各自具有相應(yīng)的前表面和后表面；所述相應(yīng)的前表面均適于在使用期間面向輻射源；所述頂部太陽能電池布置成使其后表面覆蓋所述底部太陽能電池的前表面； 所述頂部太陽能電池包括光伏吸收層，所述光伏吸收層的帶隙大于晶體硅的帶隙； 所述底部太陽能電池包括晶體硅襯底； 在所述底部太陽能電池的所述前表面上，布置有鈍化層堆棧，所述鈍化層堆棧包括薄介電質(zhì)膜和多晶硅的輔助層，所述薄介電質(zhì)膜與所述晶體硅襯底接合且布置在所述晶體硅襯底的前表面與所述輔助層之間。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述輔助層包括本征多晶硅。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述輔助層包括摻雜有第一導(dǎo)電類型或第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)的多晶硅。 4.根據(jù)前述權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述輔助層對(duì)于紅外輻射是透明的。 5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述薄介電質(zhì)膜具有在0.5nm與5nm之間的厚度。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述薄介電質(zhì)膜是厚度在1nm與 2.5nm之間的氧化硅或氮氧化硅層。 7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述多晶硅具有在5nm至500nm范圍內(nèi)的厚度。 8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述多晶硅的摻雜水平高于1× 19 ?3 10 cm 。 9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述頂部太陽能電池包括金屬有機(jī)鹵化鈣鈦礦層作為光伏吸收層。 10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述頂部太陽能電池包括CdTe層作為光伏吸收層。 11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，所述底部太陽能電池的前表面被紋理化，并且所形成的紋理的至少一些尖銳特征被圓化成或平滑成具有大于25nm至1000nm的增大的曲率半徑。 12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的串聯(lián)太陽能電池，其中，經(jīng)過紋理化處理的所述前表面包括具有中間山谷的錐形形狀，所述山谷圓化成具有選自25nm?1000nm范圍內(nèi)的曲率半徑。 13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的串聯(lián)太陽能電池，其中， 所述頂部太陽能電池包括： 薄膜光伏層結(jié)構(gòu)，包括上載流子提取