權(quán)利要求書： 1.一種太陽(yáng)能電池的制造方法，是具備半導(dǎo)體基板、層疊在上述半導(dǎo)體基板的與一個(gè)主面?zhèn)认喾吹囊粋?cè)的另一個(gè)主面?zhèn)鹊囊徊糠忠嗉吹谝粎^(qū)域的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及層疊在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個(gè)主面?zhèn)鹊牧硪徊糠忠嗉吹诙^(qū)域的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的背面接合型的太陽(yáng)能電池的制造方法，所述太陽(yáng)能電池的制造方法包含以下工序：第一半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述半導(dǎo)體基板的上述另一個(gè)主面?zhèn)刃纬缮鲜龅谝粚?dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜； 剝離層形成工序，在上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜上形成剝離層； 第一半導(dǎo)體層形成工序，除去上述第二區(qū)域的上述剝離層以及上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，由此在上述第一區(qū)域形成圖案化的上述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層以及上述剝離層； 第二半導(dǎo)體層材料膜形成工序，在上述第一區(qū)域的上述剝離層以及上述第二區(qū)域上形成上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜；以及第二半導(dǎo)體層形成工序，除去上述剝離層，由此除去上述第一區(qū)域的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜，在上述第二區(qū)域形成圖案化的上述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，上述第二半導(dǎo)體層形成工序包含：至少一次蝕刻工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于除去上述剝離層的蝕刻溶液；以及至少一次沖洗工序，將上述半導(dǎo)體基板浸漬在用于沖洗上述半導(dǎo)體基板的表面的沖洗溶液，在上述蝕刻工序以及上述沖洗工序中的至少一個(gè)工序中，在溶液中添加抑制被除去的剝離層和/或第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的材料膜再附著于上述半導(dǎo)體基板的主面的附著抑制劑。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，上述第二半導(dǎo)體層形成工序包含依次進(jìn)行的多個(gè)上述沖洗工序，在多個(gè)上述沖洗工序中的第二個(gè)以后的上述沖洗工序中，在上述沖洗溶液中添加上述附著抑制劑。 3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，上述附著抑制劑是表面活性劑。 4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，含有上述表面活性劑的上述沖洗溶液的pH是7以上。 5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑含有陰離子系的表面活性劑或者陽(yáng)離子系的表面活性劑或者它們的混合劑。 6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，上述表面活性劑是含有芳香族構(gòu)造以及長(zhǎng)鏈直鏈狀烷基構(gòu)造的有機(jī)酸。 7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其中，上述表面