權(quán)利要求書(shū)： 1.一種叉指背接觸太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟：(1)準(zhǔn)備硅基體并進(jìn)行雙面拋光； (2)在拋光后的所述硅基體的背面進(jìn)行開(kāi)窗，形成第一凹槽及未開(kāi)窗凸面區(qū)，使所述硅基體的背面形成凹凸交替排列的錯(cuò)落結(jié)構(gòu)； (3)在拋光后的所述硅基體的正面進(jìn)行制絨，形成制絨結(jié)構(gòu)； (4)在所述制絨結(jié)構(gòu)及所述錯(cuò)落結(jié)構(gòu)上均進(jìn)行硼擴(kuò)，分別形成正面BSG層及背面BSG層； (5)對(duì)所述正面BSG層及所述背面BSG層進(jìn)行修飾減薄，形成正面減薄BSG層及背面減薄BSG層； (6)在所述正面減薄BSG層及所述背面減薄BSG層上制備鈍化膜，得到正面鈍化層及背面鈍化層； (7)在所述背面鈍化層上的第一凹槽或未開(kāi)窗凸面區(qū)的對(duì)應(yīng)位置再次開(kāi)窗，形成第二凹槽，暴露出所述背面減薄BSG層；再通過(guò)所述第二凹槽中的所述背面減薄BSG層進(jìn)行磷擴(kuò)； (8)通過(guò)絲網(wǎng)印刷，在所述第二凹槽中形成負(fù)電極，使所述負(fù)電極與所述磷擴(kuò)形成的摻雜區(qū)域產(chǎn)生歐姆接觸；并制作正電極，使所述正電極穿過(guò)所述背面鈍化層與所述硼擴(kuò)形成的摻雜區(qū)域產(chǎn)生歐姆接觸，得到叉指背接觸太陽(yáng)能電池； 其中，步驟(2)與步驟(3)不分先后順序。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟(1)所述雙面拋光包括先進(jìn)行粗拋，清洗后再進(jìn)行堿拋； 優(yōu)選地，步驟(1)所述硅基體包括N型和/或P型硅片； 優(yōu)選地，所述粗拋使用的粗拋水溶液包括NaOH和/或KOH； 優(yōu)選地，所述粗拋水溶液中NaOH和/或KOH與水的體積配比為(2～10):(300～380)； 優(yōu)選地，所述粗拋的溫度為69～79℃，時(shí)間為100～180s； 優(yōu)選地，所述堿拋使用的堿拋水溶液包括NaOH和/或KOH以及堿拋添加劑； 優(yōu)選地，所述堿拋水溶液中NaOH和/或KOH、堿拋添加劑及水的體積配比為(6～10):(4～6):(335～340)； 優(yōu)選地，所述堿拋的溫度為65～80℃，時(shí)間為200～300s。 3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，步驟(2)及步驟(7)所述開(kāi)窗的方法包括激光開(kāi)窗和/或掩膜腐蝕； 優(yōu)選地，步驟(2)所述第一凹槽的深度為5～20μm，寬度為60～900μm； 優(yōu)選地，步驟(2)所述未開(kāi)窗凸面區(qū)的寬度為600～1500μm； 優(yōu)選地，步驟(