權(quán)利要求書：  1.電解水析氫陰極，其特征在于，包括多孔導(dǎo)電基底、納米線陣列層、析氫催化劑層，所述納米線陣列層為鈷基納米線陣列，所述析氫催化劑層為富鎳的鎳鉬合金催化劑。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解水析氫陰極，其特征在于，所述多孔導(dǎo)電基底可以為碳紙或碳布或泡沫鎳。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解水析氫陰極，其特征在于，所述鈷基納米線陣列為氫氧化鈷、氧化鈷、磷化鈷、硫化鈷、磷硫化鈷中的一種。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解水析氫陰極，其特征在于，所述析氫催化劑層中鎳的原子百分比含量為60% 90%。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電解水析氫陰極，其特征在于，所述析氫催化劑層中鎳的原子百分比含量為80%。 6.權(quán)利要求1所述電解水析氫陰極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：（1）多孔導(dǎo)電材料的預(yù)處理； （2）鈷基納米線陣列的生長(zhǎng)：在預(yù)處理后的多孔導(dǎo)電材料上生長(zhǎng)鈷基納米線陣列； （3）制備富鎳的鎳鉬合金催化劑層：采用鎳鉬雙靶材共濺射法在生長(zhǎng)有鈷基納米線陣列的多孔導(dǎo)電材料上沉積富鎳的鎳鉬合金催化劑，得到樣品A； （4）電化學(xué)活化：將樣品A放入在堿性溶液中，采用循環(huán)伏安、線性電壓掃描、恒電流和恒電勢(shì)方法中的一種進(jìn)行電化學(xué)活化。 7.根據(jù)權(quán)利要求6所述電解水析氫陰極的制備方法，其特征在于，步驟（1）中多孔導(dǎo)電材料預(yù)處理過程為：將多孔導(dǎo)電材料依次經(jīng)丙酮、異丙醇和去離子水超聲清洗，并烘干。 8.根據(jù)權(quán)利要求6所述電解水析氫陰極的制備方法，其特征在于，步驟（2）中鈷基納米線陣列的生長(zhǎng)，具體過程為：以多孔導(dǎo)電材料為基底，硝酸鈷為鈷源，采用水熱法在多孔導(dǎo)電材料上生長(zhǎng)鈷基納米線前驅(qū)體；并采用化學(xué)氣相法或液相法對(duì)前驅(qū)體進(jìn)行氫氧化、氧化、硫化、磷化或者硫磷化處理，獲得相應(yīng)的氫氧化鈷、氧化鈷、磷化鈷、硫化鈷、磷硫化鈷納米線陣列。 9.根據(jù)權(quán)利要求6所述電解水析氫陰極的制備方法，其特征在于，步驟（3）中制備富鎳的鎳鉬合金催化劑層，具體過程為：將生長(zhǎng)有鈷基納米線陣列的多孔導(dǎo)電材料作為基底置于磁控濺射系統(tǒng)中，抽真空，打開氬氣開關(guān)，然后打開濺射電源，調(diào)節(jié)功率，采用純度大于 99.9%的鎳靶和鉬靶純金屬靶材，進(jìn)行預(yù)濺射，開啟樣品旋轉(zhuǎn)，打開擋板開始共濺射鎳鉬合金薄膜，濺射結(jié)束后，充入氮?dú)馄瞥婵?，得到樣品A。 10.根據(jù)權(quán)利要求6所述電解水析氫陰極的制備方法，其特征在于，步驟