權(quán)利要求 1.一種氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，包括： 將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶; 將所述第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶; 在進(jìn)行引晶時(shí)，將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，之后依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。 2.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述楔形的下端面的面積與上端面的面積的比值范圍為30%到80%;楔形的兩個(gè)斜面與上端面夾角的范圍為20°到60°。 3.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，包括： 將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，并回熔第一預(yù)設(shè)長(zhǎng)度。 4.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第一氧化鎵籽晶依次進(jìn)行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶，包括： 將所述第一氧化鎵籽晶平放于藍(lán)寶石片的上方，將所述藍(lán)寶石片和所述第一氧化鎵籽晶整體放入退火爐中進(jìn)行退火; 將退火完成的第一氧化鎵籽晶放置于酸性溶液或者堿性溶液中進(jìn)行表面腐蝕，得到所述第二氧化鎵籽晶。 5.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述退火爐中的退火氣氛為氬氣、氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w，退火溫度為1200℃到1600℃，退火時(shí)間為0.5h到5h。 6.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述酸性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。 7.如權(quán)利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述堿性溶液的質(zhì)量濃度為20%到80%，酸性溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。 8.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶每個(gè)面的表面粗糙度小于等于1nm。 9.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述依次進(jìn)行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶，包括： 在提拉工序時(shí)，保持恒溫條件，使生長(zhǎng)的氧化鎵不縮不擴(kuò)達(dá)到第二預(yù)設(shè)長(zhǎng)度后停止提拉工序; 之后依次進(jìn)行放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到所述氧化鎵單晶。 10.如權(quán)利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將氧化鎵籽晶切割為長(zhǎng)方體，并將長(zhǎng)方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶，包括：