權(quán)利要求 1.一種高熵合金粉末，其特征在于，按元素質(zhì)量百分比計包括： Ni：50%-55%;Nb：4.75%-5.5%;Mo：2.8%-3.3%;Cr：17%-21%;Al：0.2%-0.8%;Ti：0.65%-1.15%;Co：≤1.00%;B：≤0.006%;Si：≤0.35%;Mn：≤0.35%;Cu：≤0.3%;Mg：≤0.01%;C：≤0.08%;S：≤0.015%;P：≤0.015%;余量為鐵; 所述Ni原料為空心納米Ni粉，所述Cr原料為空心納米Cr粉，所述Nb原料為納米孿晶鈮片。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高熵合金粉末，其特征在于，所述空心納米Ni粉采用如下的方法制備得到： A、將鎳粉作為蒸發(fā)源材料，將鎳粉置于PVD設(shè)備的蒸發(fā)室，將納米氧化鋁粉置于PVD設(shè)備的沉積室; B、將PVD設(shè)備抽真空后進(jìn)行沉積，沉積過程中控制蒸發(fā)溫度為1500-1550℃、沉積時間為2-3h，沉積完成后得到納米鎳球/氧化鋁復(fù)合物;將納米鎳球/氧化鋁復(fù)合物加入氫氧化鈉水溶液中，在50-70℃磁力攪拌處理1-2h后，經(jīng)抽濾、清洗、干燥得到空心納米Ni粉。 3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種高熵合金粉末，其特征在于，步驟A中所述納米氧化鋁粉的純度大于99.9%，所述納米氧化鋁粉的平均粒徑為10-40nm。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高熵合金粉末，其特征在于，所述空心納米Cr粉采用如下的方法制備得到： (1)將鉻粉作為蒸發(fā)源材料，將鉻粉置于PVD設(shè)備的蒸發(fā)室，將納米二氧化硅粉置于PVD設(shè)備的沉積室; (2)將PVD設(shè)備抽真空后進(jìn)行沉積，沉積過程中控制蒸發(fā)溫度為1850-1900℃、沉積時間為3-4h，沉積完成后得到納米鉻球/二氧化硅復(fù)合物;將納米鉻球/碳化硅復(fù)合物加入氫氟酸溶液中，在40-50℃磁力攪拌處理1-2h后，經(jīng)抽濾、清洗、干燥得到空心納米Cr粉。 5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高熵合金粉末，其特征在于，步驟(1)中所述納米二氧化硅粉的純度大于99.5%，所述納米二氧化硅粉的平均粒徑為10-50nm。 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高熵合金粉末，其特征在于，所述納米孿晶鈮片采用如下的方法制備得到： 將鈮