權(quán)利要求 1.一種太陽電池，其特征在于，包括： 硅基底; 半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)于所述硅基底的表面; 圖形化的第一鈍化層，所述第一鈍化層設(shè)于所述半導(dǎo)體層背離所述硅基底一側(cè); 透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的材料為透明導(dǎo)電化合物，所述透明導(dǎo)電層包括第一透明導(dǎo)電子層和第二透明導(dǎo)電子層，所述第一透明導(dǎo)電子層設(shè)于所述半導(dǎo)體層背離所述硅基底的表面，且所述第一透明導(dǎo)電子層填充于所述第一鈍化層的圖形化區(qū)域未覆蓋的鏤空區(qū)域中，所述第二透明導(dǎo)電子層覆蓋所述第一透明導(dǎo)電子層和所述第一鈍化層背離所述硅基底的表面，所述第二透明導(dǎo)電子層的寬度為150μm～400μm; 銅柵線，所述銅柵線設(shè)于所述透明導(dǎo)電層背離所述半導(dǎo)體層的一面，所述銅柵線的寬度為5μm～100μm。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述銅柵線的寬度為5μm～20μm。 3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的透光率大于等于85%，方阻為50Ω/□～200Ω/□;和/或，所述透明導(dǎo)電化合物為摻錫氧化銦、摻鈦氧化銦、摻鋅氧化銦、氧化鋅鋁、摻鋁氧化鈮、鋁酸鑭和摻氟氧化錫中的一種或多種組合。 4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池，其特征在于，所述第二透明導(dǎo)電子層的厚度為50nm～200nm。 5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池為鈍化接觸太陽電池，所述半導(dǎo)體層包括設(shè)置于所述硅基底第一面的P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于所述硅基底第二面的N型半導(dǎo)體層，所述第一面和所述第二面中的其中一面為受光面，另一面為背光面; 所述硅基底與所述P型半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第一介質(zhì)層，所述硅基底與所述N型半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第二介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層和所述第二介質(zhì)層的厚度為0.8nm～2.5nm; 所述第一鈍化層、所述透明導(dǎo)電層同時(shí)設(shè)置于所述P型半導(dǎo)體層和所述N型半導(dǎo)體層背離所述硅基底一側(cè)，所述第二透明導(dǎo)電子層全部或部分覆蓋所述第一透明導(dǎo)電子層和所述第一鈍化層背離所述硅基底的表面。 6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的太陽電池，其特征在于，所述太陽電池為背接觸太陽電池，所述半導(dǎo)體層包括呈指交叉設(shè)置的P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層，所述P型半導(dǎo)