權(quán)利要求 1.親水非晶碳膜，其特征在于，所述親水非晶碳膜為含硅的類金剛石碳薄膜。 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述所述薄膜中的硅含量范圍為1.0at.％至2.5at.％。  3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面粗糙度為10nm至20nm。  4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的親水非晶碳膜，其特征在于：所述薄膜表面Si-O鍵占比范圍為30％至60％。  5.親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述親水非晶碳膜的制備方法包括以下步驟： (1)薄膜的形成：使用基板將硅原子摻入類金剛石薄膜中，形成摻硅類金剛石薄膜備用； (2)活化處理：采用等離子體或離子束對(duì)在上述薄膜表面進(jìn)行活化激活處理，產(chǎn)生存在于膜表面的碳原子和硅原子的化學(xué)鍵。  6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中形成摻硅類金剛石薄膜的原料為苯氣體和硅烷混合。  7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)中摻硅類金剛石薄膜的制備方法為等離子體化學(xué)氣相沉積、等離子體合成、濺射合成、自濾波電弧合成或離子束沉積中的任意一種或其任何組合。  8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用等離子體處理時(shí)腔室內(nèi)的壓力范圍為0.1Pa至10Pa，偏置電壓范圍為-100V至-800V。 9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用離子束激活薄膜表面的時(shí)，腔室內(nèi)的壓力為10 -7Pa-10Pa，電壓為100V-50kV。 10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種親水非晶碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中采用的等離子體、離子束分別為等離子氧和氧的離子束。 說(shuō)明書(shū) 親水非晶碳膜及其制備方法 技術(shù)領(lǐng)域 本發(fā)明涉及金屬涂層材料制備技術(shù)，具體涉及親水非晶碳膜及其制備方法。 背景技術(shù) 由于類金剛石(DLC)薄膜具有高硬度、潤(rùn)滑性、電阻和良好的耐磨性，表面光滑，并且可以在低溫下合成，因此它是一種用于各種工業(yè)領(lǐng)域的涂層材料。此外，DLC薄膜具有其表面的優(yōu)異化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的生物相容性和對(duì)血液的相容性，當(dāng)其